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内存芯片

内存芯片资讯

三星开始大规模生产下一代内存芯片MRAM

三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局,因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。   三星开始大规模生产下一代内存芯片MRAM   三星3月6...

分类:名企新闻 时间:2019/3/8 阅读:184

SK海力士开发完成首颗DDR5-6400内存芯片:2GB容量、电压1.1V

本周,JEDEC(固态存储协会)正式发布了LPDDR5低功耗内存标准,最高频率设计为6400MHz,比第一代LPDDR4翻番,将为手机、平板、汽车等产品驱动更高性能提供保障。   不过...

分类:新品快报 时间:2019/2/23 阅读:318 关键词:SK海力士 存储芯片 

明年内存芯片市场低迷 三星计划放缓扩张步伐

据《韩国先驱报》(Korea Herald)报道,由于分析师对2019年全球半导体市场的预期比较悲观,全球最大存储芯片供应商三星电子正考虑放缓扩大生产设施的步伐。   在上周举行...

分类:名企新闻 时间:2018/12/27 阅读:254 关键词:内存芯片 三星 

2019止不住的存储芯片降价:NAND闪存跌45%、内存芯片降30%

2018年还有三周时间就过去了,对于半导体行业来说,这两年因为存储芯片价格大涨而出现了一轮牛市,但2019年的风向就变了,半导体市场产值大涨的局面不会有了,以往领跑芯片...

分类:行业趋势 时间:2018/12/11 阅读:504 关键词:闪存 

韩媒:韩国公司已占全球DRAM内存芯片市场份额的75%

半导体产业是目前国内正在大力发展的行业,尽管中国市场消耗了全球三分之一还多的半导体芯片,不过大多数依赖进口,其中DRAM内存及NAND闪存芯片几乎100%来自进口。在存储芯...

分类:业界动态 时间:2018/11/20 阅读:184 关键词:DRAM内存芯片 

韩媒:韩国公司已占全球75%内存芯片市场份额

据韩国媒体报道,到今年第三季度,韩国公司生产的DRAM(内存)芯片已经占到全球市场的75%,其中三星和SK海力士(SK Hynix)占据了重要地位。DRAMeXchange发布的数据显示,...

分类:业界动态 时间:2018/11/20 阅读:173 关键词:内存芯片 

美光推进DDR5内存芯片:2019年底量产

尽管JEDEC(固态存储协会)的DDR5标准尚未定案,Cadence(铿腾)和美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品,并计划在2019年底量产。   事实上,早在今年5月,Cadence就展示...

分类:名企新闻 时间:2018/10/18 阅读:203 关键词:内存 美光 

为保价格,三星明年或有意下调内存芯片产量增速

前发布的2018年McClean报告的年中报告中,调研机构IC Insights更新了33个主要IC产品类别(WSTS定义)中每个类别的销售增长预期(下图)。     今年1~8月DRAM...

分类:业界动态 时间:2018/9/25 阅读:506 关键词:三星 内存芯片 

由于需求减少:三星计划减少内存芯片产量增幅

据彭博社援引知情人士消息称,鉴于预期需求放缓,三星电子明年计划减少内存芯片产量增幅,以确保供应紧缩。   这家全球最大的NAND以及DRAM芯片制造商预测,DRAM内存的产...

分类:名企新闻 时间:2018/9/21 阅读:224 关键词:三星 内存 

紫光:DRAM内存芯片设计处于世界主流水平 要解决产能

对于紫光来说,目前最大的重心还是放在了国产自主DDR4内存上,而他们在从“芯”到“云”布局也一直没有放慢脚步,比如前段时间把、苏州日月新半导体30%的股份收入囊中。  对于外界关心的自主DDR4内存进展上,紫光表示,在DRAM内存芯片...

分类:名企新闻 时间:2018/9/10 阅读:181 关键词:DRAM 内存 

内存芯片技术

尔必达申明40nm制程2Gb DDR3内存芯片成功开发

尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3SDRAM内存芯片的研发工作,今年11月份这种芯片将进入送样阶段,年底前则可实现正式批量供货。据集成电路设计行业的消息来源称,预见到SDRAM内存将出现供应短缺的局面,台湾地区集成电路...

其它 时间:2011/9/2 阅读:945

内存芯片参数介绍

具体含义解释:例:SAMSUNGK4H280838B-TCB0主要含义:第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。第2位——芯片类型4,代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容

基础电子 时间:2008/8/11 阅读:3973

富士通两款2Mbit FRAM内存芯片上市

富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市,该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存,具备高速资料写入、低

新品速递 时间:2007/11/27 阅读:1247

Fujitsu新型2Mbit FRAM内存芯片供货上市

富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市,该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件。富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存,具备高速资料写入、低

新品速递 时间:2007/11/21 阅读:1314

美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片

美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上,面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4GbNAND闪存芯片捆绑在一起,构成强

新品速递 时间:2007/11/20 阅读:1194

内存芯片封装技术的发展

随着计算机芯片技术的不断发展和成熟,为了更好地与之相配合,内存产品也由后台走出,成为除CPU外的另一关注焦点。作为计算机的重要组成部分,内存的性能直接影响计算机的整体性能。而内存制造工艺的最后一步也是最关键一步就是内存的封...

新品速递 时间:2007/4/29 阅读:2058

内存芯片封装技术“三级跳”

芯片的封装技术种类多种多样,诸如DIP、PQFP、TSOP、TSSOP、PGA、BGA、QFP、TQFP等等。芯片的封装技术已历经好几代的变迁,技术指标一代比一代先进,如芯片面积与封装面积之比越来越接近,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,引脚数增

基础电子 时间:2004/12/13 阅读:1944

内存芯片产品