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SOI

SOI资讯

格芯发布基于领先的FDX FD-SOI技术平台的毫米波和射频/模拟解决方案

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX-rfa)解决方案,以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX-mmWave)解决方案。该两种解决方案都基于...

分类:新品快报 时间:2017/9/27 阅读:253 关键词:格芯 FDX FD-SOI技术 

南京江北新区将打造中国“芯片之都”

9月21日,由国际产业联盟主办,南京江北新区承办,南京集成电路产业服务中心(ICisC)协办的2017 SOI国际产业联盟高峰论坛在南京召开。据了解,该高峰论坛是首次登陆南京,今后江北新区将打造中国“芯片之都”,一年落户百余家集成电路。...

分类:业界要闻 时间:2017/9/22 阅读:216

终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了

1958年,第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。而今天的芯片包含超过10亿个晶体管,这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。 ...

分类:业界要闻 时间:2017/8/25 阅读:326 关键词:CMOS SOI FinFET 

终将进入主流市场 FD-SOI技术大起底

凭借FD-SOI的特性,对于广泛的市场领域,半导体生态系统的主要参与者对该技术越来越感兴趣。全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)是将CMOS晶体管的两个实质特性汇集在一起的独特技...

分类:业界要闻 时间:2017/5/31 阅读:326 关键词:FD-SOI 晶圆代工 衬底 

FD-SOI能否逆天改命,就看中国了?

继今年2月Globalfoundries的晶圆厂落户成都,双方之间的私营/官方合作伙伴关系进一步延续,于本周二(May 23)发布一项新的1亿美元投资计划,未来将在FDSOI技术基础上,共同...

分类:业界动态 时间:2017/5/25 阅读:183 关键词:FD-SOI 

派更宣布可量产供应开创性的UltraCMOS 60 GHz RF SOI开关

RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布,其可立即量产供应UltraCMOS 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓(GaAs)技术主导的频段。   ...

分类:新品快报 时间:2017/5/17 阅读:148 关键词:SOI 

派更推出100瓦RF SOI功率限幅器

RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布推出单片100瓦功率限幅器UltraCMOS PE45361。作为派更半导体公司功率限幅器系列产品的新一代成员,PE45361建立在备受好评的50瓦UltraCMOS功率...

分类:新品快报 时间:2017/5/17 阅读:133 关键词:SOI 

12寸晶圆需求大,为SOI工艺制程爆发打下坚实基础

中国至少已浮出三家晶圆厂将采用SOI工艺先进制程。根据MarketsandMarkets 最新预估,SOI市场在2022年市场价值将达18.6亿美元,2017-2022年期间平均复合成长率将达29.1%。其中,亚太区晶圆厂将是主力客户。下面就随半导体小编一起来了解一...

分类:业界动态 时间:2017/4/18 阅读:114 关键词:SOI 

恩智浦首个FD-SOI芯片,意味着什么?

恩智浦今年使用三星的28nm全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)工艺生产多达五种SoC,其中一种的样品的试制已经进行了6个月。三星预计将在五月份公布其FD-SOI路线图,并正在为其开发RF和内部嵌入式MRAM。   恩智浦的一位执行官在一次活动上展...

分类:名企新闻 时间:2017/4/18 阅读:137 关键词:恩智浦 SOI 

12寸晶圆需求为SOI工艺制程爆发铺平道路

中国至少已浮出三家晶圆厂将采用SOI工艺先进制程。根据MarketsandMarkets 最新预估,SOI市场在2022年市场价值将达18.6亿美元,2017-2022年期间平均复合成长率将达29.1%。其...

分类:业界动态 时间:2017/4/14 阅读:184 关键词:SOI 

SOI技术

5G杀到!RF前端需要怎样的工艺和技术?

RF器件和工艺技术的市场正在升温,特别是对于智能手机中使用的两个关键组件——RF开关器件和天线调谐器。RF器件制造商及其代工合作伙伴继续推出基于RF SOI工艺技术的传统RF...

设计应用 时间:2017/5/6 阅读:1271

Peregrine半导体发布用于DOCSIS3.1设备的双频段架构

Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术和先进的射频解决方案的创始人和先驱,今天发布高线性度射频开关UltraCMOS®PE42722.用这种开关,可以在有线客户端设备...

新品速递 时间:2014/10/15 阅读:744

基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究

摘要:绝缘体上硅(SiliconOnInsulator,简称SOI)以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用SentaurusTCAD软件中的SDE(...

设计应用 时间:2014/1/22 阅读:2167

基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

摘要:由于PDSOI工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P...

基础电子 时间:2013/8/7 阅读:3977

基于全耗尽平面晶体管技术的NovaThor平台设计

随着智能手机功能最近不断升级演化,消费者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主频CPU处理器、令人震撼的3D图形、全高清多媒体和高速宽带现已成为高端手机的标配。同时,...

技术方案 时间:2012/12/7 阅读:2117

利用200V SOI工艺有效降低LED TV背光方案成本

CCFL和LED是当前LCD仅有的两种背光源,CCFL是传统的背光方式,而LED作为LCD背光的后起之秀,正在迅速抢占LCD背光市场。电视机厂商和面板厂商之所以积极推动LED背光液晶电视...

技术方案 时间:2011/2/12 阅读:2128

集成光电子学SOI光波导

集成光电子学无论在技术还是成本上都占有优势。对于III-V族化合物来说,硅材料和SOl(硅在绝缘体上)在基片处理成本,封装密度等方面均占有优势。微电子工艺的发展水平使得集成光学的工艺很容易实现。目前集成光学的特征尺寸一般为1~2gm...

基础电子 时间:2008/12/2 阅读:1660

SOI微电子技术简介

SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘层上覆硅)技术的出现虽然已有30多年,但是取得突破性进展是在20世纪80年代后期。最初人们仅认为SOl技术有可能替代在特殊场合应用的SOS...

基础电子 时间:2008/12/2 阅读:3479

Atmel推首款SOI负载驱动IC,10万件单价不足1美元

atmel日前宣布推出驱动ICATA6826,这是市面上首个采用高电压BCD-SOI技术的产品。新的驱动IC的性能有所改善,具有众多保护功能且价格极具吸引力。ATA6826的设计目的是在汽车应用中通过一个微控制器控制两个直流电机或三个不同负载。这些

新品速递 时间:2007/12/14 阅读:1458

Atmel推出业界首个使用SOI技术的汽车负载驱动IC

AtmelCorporation日前宣布推出驱动ICATA6826,这是市面上首个采用高电压BCD-SOI技术的产品。新的驱动IC的性能有所改善,具有众多保护功能且价格极具吸引力。ATA6826的设计目的是在汽车应用中通过一个微控制器控制两个直流电

新品速递 时间:2007/12/14 阅读:1299

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