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SOI资讯

格芯看好12纳米以上制程 未来重点推广FD-SOI技术

8月底,全球第二大晶圆代工厂格芯(Globalfoundries,“GF”)宣布退出7纳米及以下先进制程的研发与投资,这是继联电之后,第二家宣布放弃10纳米以下制程的半导体公司。   虽然放弃7纳米及以下先进制程的研发令人有些惋惜,不过格芯倒...

分类:名企新闻 时间:2018/9/28 阅读:178 关键词:格芯 12纳米 FD-SOI技术 

SOI产业联盟主席Carlos:现在每辆汽车中已部署100mm2的SOI

2018年7月20日,由中国半导体协会集成电路设计分会和芯原控股有限公司主办,成都市投资促进委员会、都江堰市人民政府、成都新能源汽车产业联盟、电子科技大学车联网校友会...

分类:名企新闻 时间:2018/7/25 阅读:140 关键词:SOI产业联盟 

格芯宣布推出业内符合汽车标准的先进 FD-SOI工艺技术

制造安全性、可靠性和鲁棒性认证为客户提供了汽车应用所需的性能和能效  格芯今日宣布,其22nm FD-SOI (22FDX)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证,准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI工艺技术,格芯的22FDX平台融合全面...

分类:名企新闻 时间:2018/5/24 阅读:202 关键词:FD-SOI 22FDX 汽车半导体 汽车IC 

格芯发布基于领先的FDX FD-SOI技术平台的毫米波和射频/模拟解决方案

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX-rfa)解决方案,以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX-mmWave)解决方案。该两种解决方案都基于...

分类:新品快报 时间:2017/9/27 阅读:50 关键词:格芯 FDX FD-SOI技术 

南京江北新区将打造中国“芯片之都”

9月21日,由国际产业联盟主办,南京江北新区承办,南京集成电路产业服务中心(ICisC)协办的2017 SOI国际产业联盟高峰论坛在南京召开。据了解,该高峰论坛是首次登陆南京,今后江北新区将打造中国“芯片之都”,一年落户百余家集成电路。...

分类:业界要闻 时间:2017/9/22 阅读:80

终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了

1958年,第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。而今天的芯片包含超过10亿个晶体管,这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。 ...

分类:业界要闻 时间:2017/8/25 阅读:359 关键词:CMOS SOI FinFET 

终将进入主流市场 FD-SOI技术大起底

凭借FD-SOI的特性,对于广泛的市场领域,半导体生态系统的主要参与者对该技术越来越感兴趣。全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)是将CMOS晶体管的两个实质特性汇集在一起的独特技...

分类:业界要闻 时间:2017/5/31 阅读:182 关键词:FD-SOI 晶圆代工 衬底 

FD-SOI能否逆天改命,就看中国了?

继今年2月Globalfoundries的晶圆厂落户成都,双方之间的私营/官方合作伙伴关系进一步延续,于本周二(May 23)发布一项新的1亿美元投资计划,未来将在FDSOI技术基础上,共同...

分类:业界动态 时间:2017/5/25 阅读:111 关键词:FD-SOI 

派更宣布可量产供应开创性的UltraCMOS 60 GHz RF SOI开关

RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布,其可立即量产供应UltraCMOS 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓(GaAs)技术主导的频段。   ...

分类:新品快报 时间:2017/5/17 阅读:111 关键词:SOI 

派更推出100瓦RF SOI功率限幅器

RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布推出单片100瓦功率限幅器UltraCMOS PE45361。作为派更半导体公司功率限幅器系列产品的新一代成员,PE45361建立在备受好评的50瓦UltraCMOS功率...

分类:新品快报 时间:2017/5/17 阅读:215 关键词:SOI 

SOI技术

深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工艺技术

引入   真空管的发明是电子工业发展的重要动力。但是,在第二次世界大战之后,由于需要大量的分立元件,设备的复杂性和功耗显着增   已保存加,而设备的性能却不断下...

设计应用 时间:2018/8/17 阅读:67

5G杀到!RF前端需要怎样的工艺和技术?

RF器件和工艺技术的市场正在升温,特别是对于智能手机中使用的两个关键组件——RF开关器件和天线调谐器。RF器件制造商及其代工合作伙伴继续推出基于RF SOI工艺技术的传统RF...

设计应用 时间:2017/5/6 阅读:1574

Peregrine半导体发布用于DOCSIS3.1设备的双频段架构

Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术和先进的射频解决方案的创始人和先驱,今天发布高线性度射频开关UltraCMOS®PE42722.用这种开关,可以在有线客户端设备...

新品速递 时间:2014/10/15 阅读:797

基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究

摘要:绝缘体上硅(SiliconOnInsulator,简称SOI)以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用SentaurusTCAD软件中的SDE(...

设计应用 时间:2014/1/22 阅读:2325

基于PD SOI工艺的高压NMOS器件工艺研究

摘要:由于PDSOI工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P...

基础电子 时间:2013/8/7 阅读:4368

基于全耗尽平面晶体管技术的NovaThor平台设计

随着智能手机功能最近不断升级演化,消费者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主频CPU处理器、令人震撼的3D图形、全高清多媒体和高速宽带现已成为高端手机的标配。同时,...

技术方案 时间:2012/12/7 阅读:2213

利用200V SOI工艺有效降低LED TV背光方案成本

CCFL和LED是当前LCD仅有的两种背光源,CCFL是传统的背光方式,而LED作为LCD背光的后起之秀,正在迅速抢占LCD背光市场。电视机厂商和面板厂商之所以积极推动LED背光液晶电视...

技术方案 时间:2011/2/12 阅读:2237

集成光电子学SOI光波导

集成光电子学无论在技术还是成本上都占有优势。对于III-V族化合物来说,硅材料和SOl(硅在绝缘体上)在基片处理成本,封装密度等方面均占有优势。微电子工艺的发展水平使得集成光学的工艺很容易实现。目前集成光学的特征尺寸一般为1~2gm...

基础电子 时间:2008/12/2 阅读:1742

SOI微电子技术简介

SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘层上覆硅)技术的出现虽然已有30多年,但是取得突破性进展是在20世纪80年代后期。最初人们仅认为SOl技术有可能替代在特殊场合应用的SOS...

基础电子 时间:2008/12/2 阅读:3563

Atmel推首款SOI负载驱动IC,10万件单价不足1美元

atmel日前宣布推出驱动ICATA6826,这是市面上首个采用高电压BCD-SOI技术的产品。新的驱动IC的性能有所改善,具有众多保护功能且价格极具吸引力。ATA6826的设计目的是在汽车应用中通过一个微控制器控制两个直流电机或三个不同负载。这些

新品速递 时间:2007/12/14 阅读:1496

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