良率已达99.999% 长江存储Xtacking闪存技术定名“晶栈”
昨晚的发布会上，长江存储旗下品牌致态推出了新一代旗舰级SSD硬盘TiPro7000系列，支持PCIeGen4，很高读取速度7400MB/s，，基本贴着Gen4X4的带宽上限了，性能非常强大。 ...
分类：新品快报 时间：2022/1/4 阅读：1967
西部数据公司宣布推出其用于5G智能手机的第二代UFS3.1存储解决方案——西部数据iNANDTMMCEU551嵌入式闪存器件。 “智能手机已经成为我们生活中不可或缺的一部分。”西部数...
分类：业界动态 时间：2021/8/6 阅读：2669
美光放弃 3D XPoint 闪存技术，宣布向德州仪器出售芯片工厂：入手约 15 亿美元
美光公司今天宣布，它已经达成了一项最终协议，以9亿美元的现金将其位于犹他州Lehi的工厂出售给德州仪器。今年3月，美光就宣布计划出售该工厂，从而结束其与英特尔共同开发...
分类：业界动态 时间：2021/7/2 阅读：26103
华为在北京举办了主题为“探讨闪存未来发展之道，推动产业共赢”首届华为闪存技术论坛，在业界首次提出面向应用感知的存储创新理念和未来SSD发展新形态。华为智能计算提出希望与广大客户、合作伙伴、Flash厂家、标准组织、高校、媒体等存...
分类：名企新闻 时间：2019/5/9 阅读：407 关键词：闪存技术
深圳市朗科科技股份有限公司（下称朗科公司）发布公告称，其于7月28日收到了美国新泽西州联邦地区法院仲裁员Hon.William G.Bassler签发的《最终裁决书》，裁定美国PNY Technologies,Inc.（美国必恩威科技股份有限公司，下称PNY公司）应向...
分类：名企新闻 时间：2018/8/18 阅读：413
东芝与西部数据的合资闪存代工厂已经开始制造96层3D NAND芯片，而两家合作伙伴正在此基础上积极生产四级单元（简称QLC）产品。其中仍在使用TLC的东芝公司发布一款三级单元...
分类：新品快报 时间：2018/7/25 阅读：510 关键词：3D NAND闪存
本周，Intel宣布和美光的闪存合作将在2019年初终止，不过犹他州Lehi工厂的3D Xpoint研发制造除外。实质上，双方的合资企业IM Flash Technologies （IMFT）在2012年就“名存...
北京时间12月26日下午消息，紫光集团通过微信发布声明称，有关“与SK海力士就芯片闪存技术许可进行谈判与合作”的消息为市场传言，完全没有事实依据。 声明表示，紫光并...
东芝的业务要分拆出售了，目前包括在内的各大科技公司都对东芝的闪存芯片业务感兴趣，纷纷出价竞购。经常看苹果设备拆解的用户不会陌生，东芝的闪存芯片部门是苹果的合作伙...
分类：业界动态 时间：2017/4/5 阅读：309 关键词：东芝
东芝闪存芯片北京时间10月8日消息，据台湾《电子时报》报道，业界消息称，东芝和SanDisk联合开发NAND闪存技术，两家公司成为了紫光集团的收购新目标。紫光集团旗下紫光股份有限公司已经达成了一项交易，收购存储公司西部数据15%股份。消...
分类：业界要闻 时间：2015/10/10 阅读：601
大多数汽车MCU具有片上嵌入式闪存，其中包含复杂而详尽的指令代码。尽管基于多晶硅浮栅的嵌入式闪存广泛部署在汽车、工业和消费类应用领域的一系列产品中，并且是非易失性存储器技术的典范，但关于嵌入式闪存技术仍有一些错误的观念，这...
基础电子 时间：2020/1/9 阅读：553
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪...
设计应用 时间：2016/7/13 阅读：3525
飞思卡尔半导体近期宣布针对其下一代微控制器（MCU）平台提供90纳米（nm）薄膜存储器（TFS）闪存技术。这种先进技术预计将会针对正在应用的飞思卡尔MCU中部署，还有消费电子、医疗器械、家用电器及智能计量系统等各种产业。飞思卡尔同时...
新品速递 时间：2011/9/3 阅读：5495
２００８年的到来，使人们对３Ｇ的应用更加期待。运营商、芯片厂商、终端制造商、内容提供商纷纷开始提供３Ｇ产品和解决方案，为用户带来了许多全新的体验。那么，闪存技术能为３Ｇ盛宴带来什么？下一代手机将有更多功能服务的应用可使用...
基础电子 时间：2008/9/3 阅读：1665
对于许多消费类音视频产品而言，ＮＡＮＤ闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过４ＧＢ的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，ＮＡＮＤ正被证明极具吸引力。 ＮＡＮＤ闪存阵...
基础电子 时间：2008/9/1 阅读：1828
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1492
据国外媒体报道，英特尔和美光科技于近日公布了一项高速的NAND闪存技术，传输速度是现有NAND闪存的5倍之多。这项高速NAND闪存技术是由英特尔和美光共同开发而成，该技术符合最新的接口规范定义，即所谓的开放式NAND闪存接口(ONFi)工作组...
基础电子 时间：2008/2/18 阅读：1409
意法发布70nm工艺NAND闪存进入NAND闪存技术的先进行列
意法半导体日前宣布，该公司采用70nm制造工艺的NAND闪存产品已全线上市。512-Mbit(小页)和1/2/4/8-Gbit(大页)闪存升级到ST的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。 高密度的存储...
新品速递 时间：2007/12/3 阅读：1424
