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碳化硅

碳化硅资讯

节能减排热潮倒逼碳化硅材料和芯片产业化

在全球低碳节能环保的大环境下,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料凭借其高效率、高密度、高可靠等优势,发挥出越来越重要的作用。  第三代半导体材料...

分类:行业趋势 时间:2019/9/30 阅读:467 关键词:芯片碳化硅

CISSOID和中科院电工所建立战略合作关系,共同研发碳化硅功率器件广泛应用

各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布:公司已与中国科学院电工研究所(简称中科院电工所)达成战略合作关系,将共同开展基于碳化硅(SiC)功率模块的系统研发项目,攻克技术难题,实现耐高温、耐高压、高能量密度、高效...

分类:名企新闻 时间:2019/7/30 阅读:377 关键词:碳化硅功率器件

智能手机市场快充持续扩张,为何 PI 选择 GaN 而非碳化硅?

PI总裁兼首席执行官Balu Balakrishnan表示,由于智能手机市场快充技术的持续扩张,USB PD将在未来几年成为其收入增长的驱动力。因为PI推出的基于GaN基InnoSwitch新器件不仅可以解决移动设备快充效率、散热问题,而且体积可以做的足够小。...

分类:业界动态 时间:2019/7/30 阅读:540 关键词:智能手机 GaN

CISSOID和中科院电工所建立战略合作关系,共同研发解决方案推动碳化硅功率器件广泛应用

CISSOID日前宣布:公司已与中国科学院电工研究所(简称中科院电工所)达成战略合作关系,将共同开展基于碳化硅(SiC)功率模块的系统研发项目,攻克技术难题,实现耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势,推动碳化硅功率器件在新能源...

分类:名企新闻 时间:2019/6/12 阅读:556 关键词:新能源汽车

CISSOID和清华大学电机系达成技术合作意向,共同研发基于碳化硅功率模块的系统

高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID日前宣布:公司已与清华大学电机工程与应用电子技术系(简称电机系)达成技术合作意向,双方将携手研发基于碳化硅(SiC)功率模块的系统,期望共同攻克技术难题以求实现其潜在的高效率和高功...

分类:名企新闻 时间:2019/5/22 阅读:560 关键词:碳化硅功率

CISSOID在纽伦堡PCIM 2019展会上展出新款高温栅极驱动器、碳化硅器件及功率模块

各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID,在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和...

分类:新品快报 时间:2019/5/22 阅读:805 关键词:栅极驱动器

Microchip推出碳化硅(SiC)产品,助力打造可靠的高压电子设备

汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和功率密度的SiC功率产品。今日,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)通过其子公司Microsemi(美高森美)宣布推出一系列SiC功率器件。该系列器件具有良好的耐用性...

分类:新品快报 时间:2019/5/21 阅读:748 关键词:碳化硅

Cree将投资10亿美元,扩大SiC(碳化硅)产能

此次产能扩大,将带来SiC(碳化硅)晶圆制造产能的30倍增长和SiC(碳化硅)材料生产的30倍增长,以满足2024年之前的预期市场增长  l 5年的投资,充分利用现有的建筑设施North Fab,并整新200mm设备,建造采用最先进技术的满足汽车认证...

分类:名企新闻 时间:2019/5/13 阅读:198 关键词:碳化硅

Cree将投资10亿美元,扩大SiC碳化硅产能

2019年5月7日,Cree, Inc.宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。这项标志着公司...

分类:名企新闻 时间:2019/5/10 阅读:243 关键词:CreeSiC碳化硅

意法半导体拟收购碳化硅晶圆制造商Norstel AB的多数股权

横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)日前宣布签署一份协议,拟收购瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB(以下简称“Norstel”)的多数股权。在此项收购交...

分类:名企新闻 时间:2019/3/8 阅读:457

碳化硅技术

ST - 碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

就目前而言,碳化硅(SiC)材料具有极佳的的电学和热学性质,使得碳化硅功率器件在性能方面已经超越硅产品。在需要高开关频率和低电能损耗的应用中,碳化硅MOSFET正在取代标...

设计应用 时间:2019/3/8 阅读:393

Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理

Littelfuse, Inc.今日宣布推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅(SiC)肖特基二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择(6A、8A、10A、16A或20A)。 它们可为电力电子系统设计师...

新品速递 时间:2019/3/7 阅读:461

UnitedSiC发布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列产品

近日宣布推出两款新型隔离式控制器局域网(CAN)灵活数据速率(FD)收发器,这两款产品将业内更高总线故障保护、更高共模瞬变抗扰度(CMTI)和更低电磁辐射于一身,尺寸缩...

设计应用 时间:2018/11/6 阅读:320

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有...

新品速递 时间:2018/10/23 阅读:275

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monoli...

新品速递 时间:2018/3/16 阅读:939

浅谈8KW 碳化硅全桥LLC解决方案

随着电动汽车的火热发展,充电桩和车载充电器的方案已经成为市场的热点。 此类应用中,其输入电压大都是三相交流输入,经过三相PFC后,直流母线电压会高到7,800V, 如此高...

技术方案 时间:2017/10/31 阅读:904

碳化硅电力电子器件的发展现状分析

1SiC二极管实现产业化SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二

基础电子 时间:2016/8/22 阅读:1669

英飞凌推出其第五代碳化硅肖特基二极管

导读:英飞凌科技股份公司推出第五代1200VthinQ!碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计,将PN结设计融合到肖...

新品速递 时间:2014/6/17 阅读:1628

ST推出第二代串联二极管可替代碳化硅二极管

日前,意法半导体(ST)推出第二代串联二极管(tandemdiodes),此款二极管产品能够最大限度降低开关损耗,能效优势高于标准超高速二极管。新产品包括平均正向电流为8A的ST...

新品速递 时间:2013/9/23 阅读:2352

Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列

Cree公司日前宣布推出最新Z-Rec650V结型肖特基势垒(JBS)二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型JBS二极管的阻断电压为650V,能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算,这样可以将能效提高多达5%。由于数...

新品速递 时间:2010/12/30 阅读:3714

碳化硅产品