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MOS

MOS资讯

MOS芯片缺货潮2019年有望缓解 应用端提升8寸产线成主力

以为代表的被动元件在进入第三季度后,受产能供需吃紧影响,价格大涨,部分物料涨幅甚至超过10倍。而与被动元件市场行情相似的芯片也出现缺货潮,导致价格上涨,即便是在溢价20%的基础上新增订单,供应商仍难交出货来。更严重的是,芯片...

分类:行业趋势 时间:2017/10/30 阅读:166 关键词:MOS芯片 

Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率

宾夕法尼亚、MALVERN—2015年5月18日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条MOS电容器。VishayDaleRes

分类:名企新闻 时间:2015/5/26 阅读:862 关键词:Vishay 电容器 MOS 

竹懋科技新推12款MOS整流器,实现双倍功率密度

竹懋科技(CITC)宣布推出12款新型表面粘着式MOS整流器(MOSRectifier),该产品采用高热效和小巧的TO-277封装,具有卓越的超低热阻效能,能减少40%的占位面积,实现双倍的功率密度。竹懋科技表示新型表面粘着式MOS整流器(MOSR

分类:新品快报 时间:2013/5/20 阅读:2399 关键词:整流器 MOS 

中国IC设计业高成长,三大新动向

根据DIGITIMESResearch观察,中国大陆IC设计产业在高成长后,从业者已开始构思新延伸发展,大体可归纳出三大新动向。首先,手机相关芯片业者多持续深耕手机需求用芯片。因为手机内需要使用的芯片种类繁多,在自家的1、2款芯片获得手机厂...

分类:行业趋势 时间:2013/1/17 阅读:4336 关键词:中国 

展望未来,今后三年半导体分立器件保持8.3%成长率

半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业,为助力行业深度发展,国家有关部门相继出台了多项产业扶持政策,为我国半导体分立器件企业的发展营造了良好的政策环境。从国内半导体分立器件产业链分布来看,下游器件封装行业厂商较多,市场集...

分类:行业趋势 时间:2013/1/11 阅读:4081 关键词:半导体 

半导体三极管的主要参数

半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和...

时间:2013/1/8 阅读:4394 关键词:半导体 三极管 

如何测试二极管的好坏

普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。(想要...

时间:2013/1/6 阅读:3854 关键词:二极管 

浅谈半导体三极管技术参数分析

导读:中国、印度等新兴市场的成长将带动消费电子产品如LCDTV、笔记本电脑、台式电脑、双模数码相机(DSC)、手机,汽车电子,智能手机等终端产品需求量上升的强大助力,而3G建设等新产品新行业的的快速发展,进而带动上游半导体三极管的...

时间:2012/12/31 阅读:3552 关键词:半导体 三极管 

我国电子元器件行业处境堪忧

近期,国家相关部门对业内比较重要的电子元件企业做了调查,主要是对去年的经营情况作了分析对比,调查的结果显示我国电子元件行业的盈利情况不容乐观。从调查结果看,电子元件出口增长相对平稳,出口额分别达到881.4亿美元,同比增长15....

时间:2012/12/29 阅读:957 关键词:电子元器件 

Vishay推出45V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器

日前,VishayIntertechnology,Inc宣布,推出具有高电流密度的新款45VTMBSTrenchMOS势垒肖特基整流器---VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95mm的表面贴装SlimSMADO-221AC封

分类:新品快报 时间:2012/12/6 阅读:884 关键词:Vishay TMBS 整流器 

MOS技术

开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路

对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小)     在讨论前我们先做几个假设: ...

设计应用 时间:2018/7/10 阅读:58

关于各种恒流IC的解决方案

1、方案名称:景观灯共阳极恒流IC,投光灯恒流IC,泛光灯恒流IC,2.4GLED控制方案触摸RGBW调光恒流IC,共阳极洗墙灯恒流IC,低电压电源灯具恒流IC。 适用:智能RGBW 球泡灯...

技术方案 时间:2018/5/8 阅读:278

MOS管开关时的米勒效应

MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通...

设计应用 时间:2018/4/25 阅读:407

对MOS管驱动电路一知半解?这里有你想要知道的一切

一、MOS管驱动电路综述  在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样...

设计应用 时间:2018/4/21 阅读:370

带阻三极管替换MOS管

这周检查水泵变频器的电路,定稿用,发现数码管的控制三极管,基极竟然没有串联电阻,这会导致单片机的IO烧坏,虽然之前出了测试用的变频器没有问题,那是因为所选用的单片机的IO内部带一定的内阻,阻值大概在60~120欧姆,若换成STM32,...

基础电子 时间:2018/3/7 阅读:203

晶体三极管放大电路和MOS管工作原理

晶体三极管可以组成三种基本放大电路,如图5-38所示。的三种放大电路外图(a)是共发射极电路,信号从基极发射极输人,从集电极发射极输出,发射极是公共端。这是最常用的放...

设计应用 时间:2018/1/16 阅读:268

MOS管为什么会被静电击穿

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电...

设计应用 时间:2017/8/9 阅读:365

一篇文章读懂超级结MOSFET的优势

平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻,并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大...

设计应用 时间:2017/8/3 阅读:421

通用测试仪器大全之电子负载仪(特性,工作原理,使用方法,应用范围)

什么是电子负载仪?  以增强AVRRISC结构的ATmega16控制器为核心,设计并制作了直流电子负载仪。系统通过斜波发生器产生的锯齿波和电流采样信号与控制信号的误差信号作比...

基础电子 时间:2017/5/10 阅读:1024

小器件、大作用,透过这五大关键点解读什么是MOS管

增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,在VDS作用下无iD;耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,在VDS作用下iD。   1、结构和符号(以N沟道增强型为例)   在一块浓...

设计应用 时间:2017/4/14 阅读:954

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