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FinFET技术

FinFET技术资讯

中芯国际14纳米FinFET技术获得重大进展

中芯国际14纳米FinFET技术获得重大进展  8月9日,中芯国际公布了在14纳米FinFET技术开发上获得的重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。除了28纳米PolySiON和HKC,28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量,良率达...

分类:名企新闻 时间:2018/8/16 阅读:215 关键词:14纳米 28纳米HKC 

格芯发布为IBM系统定制的14纳米FinFET技术

格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能(HP)技术。这项双方共同开发的工艺专为IBM提供所需的超高性能和数据处理能力,从而在大数据和认知计算的时代为IBM的云、商业和企业解决方案提供支...

分类:名企新闻 时间:2017/10/11 阅读:100

终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了

1958年,第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。而今天的芯片包含超过10亿个晶体管,这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。 ...

分类:业界要闻 时间:2017/8/25 阅读:635 关键词:CMOS SOI FinFET 

格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即

格芯近日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术,其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪,基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出,并将于...

分类:名企新闻 时间:2017/7/11 阅读:178 关键词:格芯 7nm 

SOI与FinFET技术谁更优?

1999年,胡正明教授在美国加州大学领导一个由美国国防部高级研究计划局(DARPA)出资赞助的研究小组,这个小组当时的研究目标是CMOS技术如何拓展到25nm及以下领域,实现这种...

分类:业界动态 时间:2017/3/1 阅读:182 关键词:FinFET SOI 

台积电将率先发布7nm FinFET技术

台积电、三星、格罗方德等半导体大厂开启在7纳米制程争战,而现在台积电有望领先群雄在2017年国际固态电路研讨会(InternationalSolid-StateCircuitsConference,ISSCC)率先发布7纳米FinFET技术!全球I

分类:名企新闻 时间:2016/11/17 阅读:244 关键词:FinFET 7nm 

三星最新14nmFinFET技术吞下高通全部订单?

一直在先进制程晶圆代工技术领域与台积电(TSMC)激烈竞争的三星电子(SamsungElectronics),可能以其第二代14nmFinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的订单?三星最近宣布推出了采用其14nmLPP(Low-PowerP

分类:业界动态 时间:2016/1/20 阅读:43

ARM与台积电达成FinFET技术合作里程碑

ARM与晶圆代工大厂台积电(TSMC)共同宣布,完成首件采用FinFET制程技术生产的ARMCortex-A57处理器产品设计定案(tape-out)。Cortex-A57处理器为能进一步提升未来行动与企业运算产品的效能,包括高阶电脑、平板电脑与伺

分类:业界要闻 时间:2013/4/8 阅读:57 关键词:FinFET ARM 

IMEC 32nm研发成员齐努力 平面CMOS及FinFET技术取得新突破

在日前举行的2007年IEEE国际电子器件会议(2007IEDM)上,欧洲微电子研究机构IMEC公布了平面CMOS及FinFET器件最新研究进展。IMEC表示,在32nm节点中,铪基高k介质及TaC金属栅极的应用显著提高了平面CMOS的性能;通过在

分类:业界要闻 时间:2007/12/12 阅读:565 关键词:FinFET CMOS 

FinFET技术技术

FinFET技术面临的挑战与发展前景

FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术,是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比,FinFET器件可以提供更显着的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术,同时许多晶圆厂也正在准备16纳...

技术方案 时间:2013/3/15 阅读:3231