到 2024 年，如果需要将数十、数百、数千甚至数万个加速器拼接在一起，则不会缺少互连。 Nvidia 有 NVLink 和 InfiniBand。Google 的 TPU PoD使用光路开关 (OCS) 相互通...
SK海力士计划投资5.2万亿韩元，在美国印第安纳州建立用于人工智能（AI）的下一代高带宽存储器（HBM）半导体生产设施。该合资企业是该公司在海外的第一家HBM生产工厂，计划...
分类：名企新闻 时间：2024/4/7 阅读：371 关键词：SK海力士
三星电子在人工智能竞赛中落后了--至少在第一轮比赛中是这样。 不过，如果把它排除在外，那就太愚蠢了。 最近的迹象表明，它可能正在缩小与竞争对手 SK 海力士和美光在...
分类：业界动态 时间：2024/4/2 阅读：490 关键词：三星
三星电子公司的目标是在人工智能芯片领域引发话题，今年的高带宽内存（HBM）芯片产量可能会比去年增加一倍。周二在加利福尼亚州圣何塞举行的全球芯片制造商聚会 Memcon 202...
分类：业界动态 时间：2024/3/28 阅读：477 关键词：三星
TrendForce 高级副总裁 Avril Wu 表示，到 2024 年底，DRAM 行业预计将分配约 250K/m (14%) 的总产能用于生产 HBM TSV，预计年度供应位增长约为 260%。 HBM 在 DRAM 行...
分类：行业趋势 时间：2024/3/20 阅读：879 关键词：HBM
继HBM3取得成功后，SK海力士率先量产第五代HBM、HBM3E DRAM，并将其供应给美国半导体公司Nvidia，巩固了其在高带宽内存（HBM）市场的主导地位。 3月19日，SK海力士宣布...
分类：名企新闻 时间：2024/3/20 阅读：384 关键词：SK海力士
SK海力士公司今天宣布，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E1已开始量产，并于3月下旬开始向客户供货。七个月前，该公司公布了 HBM3E 开发的成功。 SK 海力士是 HBM3E 的第...
分类：业界动态 时间：2024/3/19 阅读：159 关键词：SK 海力士
三星电子驳斥了有关其计划为 HBM（高带宽内存）引入 MUF（模制底部填充）工艺的报道，称这“不属实”。 13日，路透社援引多位消息人士的话称，“三星电子将使用MUF技术...
集邦咨询：HBM3最初由SK海力士独家供应，AMD验证后三星股价快速上涨
TrendForce强调了HBM市场的当前格局，截至2024年初，该市场主要集中在HBM3 。NVIDIA 即将推出的 B100 或 H200 型号将采用先进的 HBM3e，标志着内存技术的下一步发展。然而...
分类：行业趋势 时间：2024/3/14 阅读：910 关键词：HBM3
三星电子在 NVIDIA AI 活动上推出全球首款 HBM3E 12 层
三星电子将在 Nvidia 的一场活动中进行突破性的展示，展示物理高带宽内存 (HBM) 3E 12 层 (H)，预计将于今年上半年量产。 HBM 的主要客户 Nvidia 准备在上半年推出其下...
美光开始量产行业领先的 HBM3E 解决方案，加速人工智能发展
全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H20...
分类：新品快报 时间：2024/3/5 阅读：213 关键词：人工智能
三星电子在业界率先量产第五代 HBM（称为“HBM3E”），以扭转人工智能半导体关键组件高带宽内存（HBM）的市场动态。 12层，今年上半年。 2 月 27 日，三星宣布开发出 HB...
分类：名企新闻 时间：2024/2/29 阅读：288 关键词：三星
作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士在HBM市场处于领导地位。日前，SK海力士副社长Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。虽然外部不稳定因...
分类：业界动态 时间：2024/2/27 阅读：303 关键词：SK海力士
根据了解，全球DRAM制造企业美光正在接受主要客户的HBM3E的质量评价，美光预计2023年市场份额约为5%，排名第三，美光CEO Sanjay Mehrotra表示：“我们正处于为英伟达下一代...
分类：名企新闻 时间：2023/12/28 阅读：518 关键词：HBM3E
