NAND闪存和NOR闪存都是常见的闪存类型，用于存储数据并作为固态存储设备使用。它们在结构、工作原理和应用方面有一些不同之处。 NAND闪存： 结构： NAND闪存以NAND门为基础单元进行组织，这种门结构使得NAND闪存在成本和密度方面具...
全部 时间：2024/3/15 阅读：310
介绍当今市场上许多基于 NAND 闪存的 SSD 产品都被标榜为“工业级”或支持“工业温度”（通常为 -40°C 至 85°C）操作。这些 SSD 产品通常在发货前在整个温度范围内进行功能屏幕测试。然而，温度对 SSD 数据保留和耐用性的影响却很少被...
设计应用 时间：2023/10/27 阅读：332
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC...
技术方案 时间：2017/6/27 阅读：1282
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪...
设计应用 时间：2016/7/13 阅读：3526
导读：日前，东芝公司（简称“Toshiba”）宣布推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片，符合的e·MMC标准。 ...
新品速递 时间：2013/11/6 阅读：1562
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC...
设计应用 时间：2011/1/20 阅读：2009
目前，针对NOR Flash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及，基于NAND闪存的文件系统YAFFS(Yet Another Flash File S...
设计应用 时间：2010/9/1 阅读：2460
Toshiba近日推出128吉比特(GB)嵌入式NAND闪存存储器模块，是业界最高容量。该模块与最新e-MMC?;3标准完全兼容，设计应用于包括智能手机、平板PC和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份，批量生产将在2010年第
新品速递 时间：2010/7/7 阅读：3258
NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪...
基础电子 时间：2010/6/8 阅读：4007
0 引 言 闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间...
设计应用 时间：2010/5/19 阅读：3206
