存储器件技术资料-维库电子市场网

磁阻RAM（MRAM）器件的核心工作结构是磁隧道结（MTJ）。位状态被存储为与隧道势垒直接接触的两个磁性层的相对磁化方向，其中反平行方向（高状态）具有比平行方向（低状...

设计应用时间：2023/7/24 阅读：338

薄膜电池为工程师提供了一个独特的组件，可用于为电路设计设计电源。薄膜器件具有超级电容器和传统电池的许多优点，是半导体器件，可简化电路集成，同时提供高能量密度，放电速率和生命周期。工程师可以使用Cymbet和Infinite Power Solut...

设计应用时间：2019/3/6 阅读：44

WEDC公司近日推出表面贴装数据存储器件，设计专门应用于国防和航空中苛刻和嵌入式要求的环境中。该产品提供1、2和4GB容量密度，采用22mmx27mm塑料球栅阵列（PBGA）封装，支持各种PATA接口协议。该产品为嵌入式计算提供高度可靠的高密度数...

新品速递时间：2009/6/16 阅读：1995

Dallas Semiconductor推出新型存储器件DS28DG02，具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。　　DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通常可节省20%的PCB空间和30%的成...

新品速递时间：2007/11/28 阅读：1456

艾蒙公司(M-Systems)近日宣布即将推出DiskOnChipH1闪存磁盘，连同一系列专业嵌入式驱动程序，做为嵌入式应用的非易失性(NVM)内存解决方案。DiskOnChipH1适用于汽车音响与导航、高级打印机与掌上型游戏机、GPS与MP3播放

新品速递时间：2007/10/24 阅读：1250

MaximIntegratedProducts的全资子公司DallasSemiconductor推出新型存储器件DS28DG02，具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通常可节省20%的PCB空间和3

新品速递时间：2007/10/9 阅读：1452

MaximIntegratedProducts的全资子公司DallasSemiconductor推出新型存储器件DS28DG02，具有空前的混合信号和非易失存储功能集成度。DS28DG02功能和容量具有很高的集成度，通常可节省20%的PCB空间和3

新品速递时间：2007/10/8 阅读：1486

Parvus公司的全新四端口USB2.0主控制器USB104+，可以直接为相连的USB器件供电，传输速度比USB1.1的产品快40倍。其尺寸为3.55英寸×3.775英寸，采用标准PC/104-Plus封装，提供四个下传端口，其中两个端口提供500

设计应用时间：2007/6/8 阅读：1363

摘要：磁电存储器不仅存取速度快、功耗小，而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身，因而已成为动态存储器研究领域的一个热点。文章总结了磁电存储器的工作原理和特性，分析了它们的发展现状及存在的问题，并对其应用前景进...

新品速递时间：2007/4/29 阅读：1179

软误差是半导体器件中无法有意再生的“干扰”(即数据丢失)。它是由那些不受设计师控制的外部因素所引起的，包括α粒子、宇宙射线和热中子。许多系统能够容忍一定程度的软误差。例如，如果为音频、视频或静止成像系统设计一个预压缩捕获缓...

新品速递时间：2007/4/3 阅读：1384

存储器件