欧洲领先的技术试验线之一正在公开征集基于全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术的下一代 10nm 和 7nm 设计项目。 FD-SOI 是欧洲拥有世界领先技术的领域，具有用于数字、模拟和射频设计的超低功耗能力。未来两年内从目前的 22nm 工艺技术转...
分类：业界动态 时间：2025/3/19 阅读：191 关键词：FD-SOI芯片
恩智浦今年使用三星的28nm全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）工艺生产多达五种SoC，其中一种的样品的试制已经进行了6个月。三星预计将在五月份公布其FD-SOI路线图，并正在为其开发RF和内部嵌入式MRAM。 恩智浦的一位执行官在一次活动上展...
