发布于：2011/5/30 9:51:05 | 933 次阅读
日前，TSMC宣布，已顺利在开放创新平台(Open Innovation Platform)上，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用TSMC开放创新平台所规划的28纳米新产品设计定案(tape out)数量已经达到89个。
TSMC亦将于美国加州圣地亚哥举行的年度设计自动化会议(DAC)中，发表包括参考流程12.0版(Reference Flow 12.0)、模拟/混合讯号参考流程2.0版(Analog/Mixed Signal Reference Flow 2.0)等多项的客制化设计工具，强化既有的开放创新平台设计生态环境。
TSMC28纳米设计生态环境已准备就绪，提供包括设计法则检查(DRC)、布局与电路比较(LVS)及制程设计套件(PDK)的基础辅助设计；在基础硅知识产权方面有标准组件库(standard cell libraries)及内存编译程序 (memory compilers)；另外，此设计架构亦提供USB、 PCI与DDR/LPDDR等标准接口硅知识产权。客户可经由TSMC-online下载这些设计工具与套件。一直以来，TSMC与电子设计自动化伙伴 (EDA)在28纳米世代的合作相当紧密，共同追求设计工具的一致性，改善设计结果。目前EDA主要领导厂商Cadence、Synopsys 与Mentor运用于28纳米芯片上的可制造性设计统一(United DFM)架构便是一个很好的例子。
TSMC参考流程12.0版新增加许多特色：可应用于透过硅基板(silicon interposer)及硅穿孔(TSV)技术制造生产的二点五维与三维集成电路(2.5-D/3-D ICs)、提高28纳米以模型为基础仿真可制造性设计的速度；此参考流程亦可运用在先进电子系统阶层设计(ESL)，整合TSMC的功率、效能及面积制程 技术。另外，此参考流程版本将首次呈现TSMC20纳米穿透式双重曝影设计(Transparent Double Patterning)解决方案，持续累积在创新开放平台架构下20纳米的设计能力。另外，模拟/混合讯号参考流程2.0版本提供先进的多伙伴模拟/混合 讯号设计流程，协助处理复杂度与日俱增的28纳米制程效能与设计挑战，并解决在高阶可制造性设计(Superior DFM)与设计规范限制(RDR)间兼容性及可靠性问题。
TSMC设计暨技术平台处资深处长侯永清表示：「我们相信客户能立即运用TSMC28纳米先进技术及产能优势来生产他们的设计；同时，客户们也 能在不久的将来准备向更先进的20纳米世代设计迈进。通过与电子自动化设计厂商和硅知识产权伙伴间的紧密合作，TSMC已经建构了一个完备且稳固的28纳 米设计生态系统，成功地协助客户达成产品设计的目标 。此外，参考流程12.0版及模拟/混合讯号参考流程2.0版的推出亦能解决应用于下一世代28纳米与20纳米设计上所面临的关键瓶颈。
DAC大会上的新技术与设计方案
参考流程12.0版及20纳米穿透式双重曝影
随着半导体制程技术向前推进，金属导线厚度愈来愈小，目前微影曝光系统的曝影能力已无法因应20纳米制程技术发展。然而，双重曝影 (double patterning)这项关键技术，使得现行微影技术能够克服成像分辨率的极限，且毋需使用尚未验证的极紫外光(EUV)微影技术。TSMC的穿透式双 重曝影解决方案让系统及芯片设计厂商得以顺利迈入20纳米技术，且毋需调整目前的设计方法或参考流程。此项技术已提供给EDA合作伙伴进行相关产品及服务 开发，并已经通过验证准备上市。
2.5-D 硅基板
基本上2.5D芯片的设计是由硅基板将多层芯片整合起来，此硅基板可应用于不同的技术。参考流程12.0版在平面规划 (floorplanning)、配置与绕线(Place & Route)、电阻压降(IR-drop)及热分析(thermal analysis)上具备新的设计能力，可同时应用于多个制程及2.5D芯片测试设计。
28纳米功率、效能及DFM设计的强化
在精细几何技术上，电线及通道电阻的时序降低日益明显。参考流程12.0版推出强化绕线的方法：将通道数量减到最小、改变绕线布局、或将电线加 宽以减轻电线与通道电阻的冲击。漏电流增加是因为在28纳米制程上的临界电压(threshold voltage)与闸极氧化层(gate Oxide)厚度增加。多模多角(multi-mode multi-corner)的漏电优化可提供不同的电压选择与门极偏压库，让设计者更有效的减少漏电。，为了尽量缩短28纳米热点检查及修正的设计时 间，DFM 数据套件(DDK)加入一具新的「热点过滤引擎」以提高model-based可制造性设计分析的速度。
模拟/混合讯号参考流程2.0版
当设计厂商客制化28纳米芯片时，模拟/混合讯号参考流程2.0版能帮助确保DFM与 RDR之间的兼容性。此参考流程提供正确的设计结构及选择设定以使用TSMC的PDK与DFM。此外，TSMC将累积所学的可靠性与生态系统伙伴合作，共 同推出新颖的方法滤除可能的缺陷。TSMC和二十一家开放创新平台生态系统伙伴将连手展示参考流程12.0版及模拟/混合讯号参考流程2.0版的特性与优 点。
射频参考设计套件3.0版
TSMC将推出的射频设计套件(RF RDK 3.0)给射频设计厂商使用，该设计套件内建先进的硅相关60GHz毫米波设计套件，也提供客户创新的方法，透过电磁模拟使用自行选择的电感器进行设计。
开放创新平台
OIP系在芯片设计产业、TSMC设计生态系统合作伙伴以及TSMC的硅知识产权、芯片设计与可制造性设计服务、制程技术以及后段封装测试服务 之间加速实时创新。它拥有多个互通的设计生态系统接口以及由TSMC与合作伙伴协同开发出的构成要素，这些构成要素系由TSMC主动发起或提供支持。透过 这些接口以及基本组件，可以更有效率地加速整个半导体产业供应链每个环节的创新，并促使整个产业得以创造及分享更多的价值。此外，TSMC的AAA-主动 精准保证机制(Active Accuracy Assurance Initiative)是开放创新平台中的另一重要关键，能够确保上述接口及基本组件的度及质量。
近年来智能网联汽车快速发展，新技术不断涌现，与相关产业融合度持续提升，正在推动全球汽车产业发生深刻变革。为应对此种形势，欧、美、日等汽车工业发达国家和地区都加大了智能网联汽车的国际标准法规协调的参与力度，在联合国世界车辆法规论坛(UN/WP.29)和国际标准化组织(ISO)层面，智能网联汽车相关国际标准法规协调活动正快速推进。 为更有效地支撑上述组织的国际标准法规协调活动，2017年全国汽车标准
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商务部回应美商务部升级半导体等领域对华出口管制并调整出口管制“未经验证清单”
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发布于：2022-10-13
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发布于：2022-10-12
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