美高森美发布Powermite1 MUPT系列提供1,000W功率的表面安装单通道瞬态电压抑制二极管

发布于：2016/3/23 0:00:00 | 473 次阅读

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    致力于在功耗、安全、可靠和性能方面提供差异化半导体技术方案的供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 发布一系列独特的全新Powermite1^® MUPT瞬态电压抑制(transient voltage suppression, TVS)二极管产品。新产品系列迎合飞机电气化、提高可靠性和燃油效率的市场趋势，从而推动了市场对具有更高功能性、更轻重量和更小体积，并带有出色瞬态过电压事件保护功能之TVS解决方案的需求。
    美高森美新型TVS二极管是高度紧凑、表面安装的单通道1,000W功率器件，具有出色的热处理和功率处理功能，并且在包括引擎控制单元和激励器控制、配电、环境控制、通信和仪表系统的航空电子应用中提供更高可靠性的功能。其它应用包括坚固手持式无线电、GPS、通信测试设备、工业日志记录设备、电源，以及船舶和飞机电气系统的电路保护。
    美高森美功率分立和模块集团战略营销总监Christophe Warin表示：“飞机电气化的发展日益蓬勃，我们的新器件是配合这一市场增长的理想产品。从市场需求的角度来看，我们估计总体电路保护器件市场可能于2018年达到10亿美元。美高森美作为高可靠性解决方案领域的领导厂商，将继续进行全面的创新产品开发工作，以满足这个行业不断演进的严苛需求。”
    通过充分利用在高可靠性TVS技术领域的50年悠久历史和传统优势，美高森美TVS二极管具有卓越性能，在电击之后不到数纳秒时间内进入雪崩击穿模式，钳制瞬态电压，并且将电流导引至接地，从而为飞机和其它电气系统提供了关键的保护功能。全新Powermite1 MUPT系列还使用以高温焊接的氧化物钝化芯片，在重复浪涌情况下实现高抗浪涌能力和可以忽略的电气降级，并且提供单向和双向两种配置。
    新器件的Powermite封装尺寸小于1 mm高和 2 mm平方，与采用传统表面安装(SMA)封装的双引线器件相比，体积大幅减小三分之一。与尺寸相似的SOT-23器件相比，Powermite器件具有更出色的热处理和功率处理能力。除了尺寸优势之外，Powermite封装还包括一个全金属底部(阳极)侧，消除了在装配中发生助焊剂包埋的可能性，而且它带有独特的锁定条设计，可用作整体式散热片。这个具有创新设计的新器件完全兼容自动插入设备。
    Powermite1 MUPT系列经过100%浪涌测试，并且可以提供各种不同“筛选”型款(M、 MA、MXL和MX)，已经根据附加筛选测试水平(类似于JANTX 军用等级器件采用的测试)进行筛选，以提升可靠性。这些器件具有5V至48V电压范围，并且符合潮湿等级1要求，无需IPC/JEDEC J-STD-020B标准要求的干裹法。Powermite1 MUPT器件达到耐受10/1,000微秒脉冲等级，峰值脉冲额定功率在10/1,000微秒下达到150W，在8/20us微秒脉冲下则达到1,000W。
    美高森美: 继续保持TVS器件领导地位
    美高森美提供业界最全面广泛的TVS器件产品组合，用于航空电子、国防、工业、汽车和通信市场应用。美高森美TVS器件专门部署用于保护引擎控制、激励器控制、环境控制、配电、通信和仪表子系统，涵盖目前世界各地所有主要的商业飞机和军用飞机。
    附加特性
    ·隔绝电压：5V (具有 9.5V钳制电压)至 48V (具有84.3V钳制电压)
    ·具有单向和双向极性：
    o阳极至壳体底部(MUPT5e3直至MUPT48e3)
    o双向(MUPTB5e3直至MUPTB48e3)
    ·单向器件的钳制时间少于100皮秒，双向器件则为5纳秒
    ·同时提供符合RoHS标准和非RoHS标准型款
    供货
    美高森美提供全部筛选等级Powermite1 MUPT系列TVS二极管产品，可从以下网址获取数据表https://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=135453 。如要了更多信息，请联络美高森美sales.support@microsemi.com。
    关于美高森美国防和商业航空产品组合
    除了TVS二极管，美高森美的国防和商业航空产品组合还包括安全而且稳固的固态硬盘(SSD)、安全现场可编程逻辑器件(FPGA) 和系统级芯片(SoC)、安全软件、防篡改解决方案、带有AES-256 MACsec支持(IEEE 802.1AEbw-2013)的FIPS-197 1 Gigabit以太网和10 Gigabit 以太网PHY、射频(RF)收发器、嵌入式内存产品、单片微波集成电路(MMIC)、功率开关器件、高压二极管、高压晶体管、齐纳电压调节器、NPN 和PNP 晶体管和信号二极管。如要了解有关美高森美国防应用产品组合的更多信息，请访问公司网页 https://www.microsemi.com/applications/defense。如要了解有关美高森美商业航空产品组合的更多信息，请访问公司网页https://www.microsemi.com/applications/commercial-aviation。
    关于美高森美电路保护产品
    美高森美电路保护产品组合适合各种国防、航空航天、工业、医疗和通信应用，并且包括EKG/ECG监控保护、植入医疗保护、智能电路断路器、智能e-fuse装置、硅可控整流器、硅可控整流器模块和TVS。如要了解更多信息，请访问公司网页https://www.microsemi.com/product-directory/3590-circuit-protection。
    关于美高森美公司
    美高森美公司(Microsemi Corporation, 纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 为通信、国防与安全、航天与工业提供全面的半导体与系统解决方案，产品包括高性能、耐辐射模拟混合集成电路，可编程门阵列(FPGA) ；可定制系统级芯片(SoC) 与专用集成电路(ASIC)；功率管理产品；时钟、同步设备以及精密定时解决方案为的时钟产品设定标准；语音处理器件；RF解决方案；分立组件；企业存储和通信解决方案；安全技术和可扩展反篡改产品；以太网解决方案; 以太网供电 (PoE) IC与电源中跨 (Midspan) 产品；以及定制设计能力与服务。
    美高森美总部设于美国加利福尼亚州Aliso Viejo，员工总数约4,800人。欲获取更详尽信息，请访问网站：https://www.microsemi.com。
    Microsemi与公司标志，以及其它商标均是美高森美公司与/或其附属公司的商标或注册商标。所有其它商标及服务标志属有关拥有者所有。
    以下为依照美国私人证券法1995年修订案规定而发出的“安全规避”声明：本文中所有还不是历史事实的声明均为“前瞻性声明”，这些“前瞻性声明”可能涉及风险，不确定性和假设，而实际的结果或成果也可能与这些前瞻性声明的预计结果出现重大的差异。具体的前瞻性声明包括但不限于美高森美发布Powermite1 MUPT系列提供1,000W功率的表面安装单通道瞬态电压抑制二极管的陈述。其中，下列因素可能导致实际结果与这些前瞻性声明中所描述的结果存在实质性的差异：技术的快速变化或产品停产，潜在成本上涨，客户订单偏好的改变；半导体行业的激烈竞争以及随之而来的价格下滑压力，对产品的需求与接受程度相关的不确定因素;终端市场的不利条件；正在进行中或已计划的发展或市场推广和宣传所带来的影响，预测未来需求的困难性；预期订单或积压订单无法实现的可能性；产品责任问题，以及现有或预计半导体行业出现其它未能预计的潜在业务和经济情况或不利因素；保护及其它所有权的困难性和成本，客户的产品事宜而引致产品停产或其它困难等。美高森美将在未来不定期提交附加的风险因素。除这些因素和在本新闻稿的其他部分所提到的其他因素外，读者还应参阅由美高森美向美国证券交易委员会备案的公司10-K表格及所有后续的10-Q报告中所述的因素，不确定性或风险。本新闻稿所含的前瞻性陈述仅叙述截至本稿刊发之日的情形，并且美高森美概不承担对这些前瞻性陈述进行更新以反映后续事件或情况的义务。

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