黄仁勋承认Blackwell芯片设计缺陷,感谢台积电修复缺陷

类别:业界动态  出处:网络整理  发布于:2024-10-24 11:26:22 | 385 次阅读

  据路透社报道,Nvidia 执行官黄仁勋本周承认,该缺陷完全由 Nvidia 造成,并表示该公司的生产合作伙伴台积电及时帮助修复了该缺陷 。“Blackwell 的设计存在缺陷,虽然它能够正常使用,但设计缺陷导致成品率低下,”黄仁勋表示,“这 100% 是 Nvidia 的错。”
  当有关设计缺陷的第一批报道出现时,一些媒体报道称台积电应承担责任——并暗示这可能导致 Nvidia 与其代工合作伙伴之间的关系紧张。黄仁勋表示,事实并非如此,Nvidia 自己的错误估计导致了这个问题。黄仁勋还驳斥了有关两家公司关系紧张的报道,称其为“假新闻”。
  Nvidia 的Blackwell B100 和 B200 GPU使用台积电的 CoWoS-L 封装技术连接两个芯片,该技术依赖于配备局部硅互连 (LSI) 桥的 RDL 中介层(以实现约 10 TB/s 的数据传输速率)。这些桥的位置至关重要。然而,GPU 芯片、LSI 桥、RDL 中介层和主板基板之间的热膨胀特性可能不匹配,导致系统弯曲和故障,据报道,Nvidia 不得不修改 GPU 硅的顶部金属层和凸块,以提高生产良率。虽然该公司没有透露有关修复的具体细节,但它确实提到需要新的掩模。

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