DRAM 供应商涨价 8 - 10%

类别:维库行情  出处:网络整理  发布于:2025-04-24 14:08:53 | 3070 次阅读

  1. DRAM市场:关税窗口期引发的库存博弈

    根据集邦咨询的内存现货价格趋势报告价格走势 

    现货价单周跳涨2.81%(DDR4 1Gx8 3200MT/s达1.720美元)

  供应商集体调价8-10%,低价芯片涨幅尤甚
  驱动因素
  关税缓冲期效应:美国90天宽限期触发"安全库存"策略
  备货模式转型:OEM厂商库存周转天数从45天增至60-75天
  HBM技术红利:SK海力士凭借HBM3E产品斩获36%市占(超越三星)
  2. NAND Flash市场:AI需求与关税政策的拉锯战
  价格表现
  512Gb TLC晶圆微跌0.04%(2.764美元)
  企业级SSD合约价维持Q2涨幅
  结构性变化
  需求端:
  数据中心采购暂缓(等待关税细则)
  AI手机/PC备货季启动(256GB+容量需求增30%)
  供给端:
  三星/西数仍维持20%减产
  长江存储扩产YMC 3.0技术产能
  3. 技术变革与市场格局
  DRAM领域
  行业观察人士预计,HBM统治力:SK海力士HBM3E良率超80%(三星仅65%)
  DDR5渗透:Q2占比达38%(较Q1提升5个百分点)
  NAND领域
  QLC崛起:企业级SSD中QLC占比突破25%
  国产替代:长存232层产品获华为/联想订单
  5. 后市预测与风险
  上行因素
  AI终端设备爆发(Gartner预测6440亿美元支出)
  HBM产能持续吃紧(交货周期达20周+)
  下行风险
  关税政策落地不及预期

  长江存储激进扩产打破平衡

(以上数据来源:TrendForce、Gartner、Counterpoint报告)

关键词:DRAM

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