从 TrendForce 的内存现货价格趋势报告来看，DRAM 和 NAND 闪存的价格走势各有特点。
　　在 DRAM 方面，DDR5 产品相较于 DDR4 产品，现货价格涨幅一直较小。不过，当前 DDR5 产品的平均现货价格已处于较高水平，部分价格甚至超过了合约价，这使得其近期涨势有所放缓。模组厂和现货贸易商对 DDR4 产品的报价接受度较高。展望 2025 年第三季度，预计现货市场的涨价幅度会收窄，合约价将逐步向现货价靠拢，两者价差会缩小。例如，主流芯片 DDR4 1Gx8 3200MT/s 的平均现货价格从上周的 2.180 美元涨至本周的 2.460 美元，涨幅达 12.8%。
　　NAND 闪存方面，其现货价格自 2 月下旬开始上涨，目前已处于相对高位。随着供应商积极推出补充产品，市场采购热情明显下降，询价和成交都有所放缓。本周 512Gb TLC Wafer 现货价格小幅下跌 0.18%，报 2.725 美元，这显示市场暂时处于观望状态，市场动能不足。
　　AI 应用的广泛发展成为推动存储芯片市场需求快速增长的关键因素。随着 AI 技术在各个领域的深度应用，对存储芯片的需求呈现出爆发式增长，尤其是在 AI 服务器领域。2024 年第二季度全球服务器市场收入达到 454.22 亿美元，同比增长 35%，AI 服务器在整体服务器市场中的占比持续上升，目前已接近 30%。
　　AI 服务器作为智算中心提供 AI 计算能力的核心硬件，是为满足 AI 计算任务的高性能需求而设计的。AI 大模型需要大量的数据进行训练和推理等操作，经过深度挖掘后的数据再推送给通用数据中心，这使得数据规模和调配工序大幅增加，数据中心内部流量传输更加密集，从而对存储产品的需求也日益提高。
　　TrendForce 此前指出，由于积极备货，第二季度 DRAM 和 NAND Flash 合约价的调涨幅度超出预期。但这波涨势的动力可能仅持续到第二季度，主要源于关税敏感的美系品牌和有出口需求的厂商的存储需求。90 天宽限期的提前释放改变了传统的季节性模式，美国关税的终走向将成为下半年存储市场供需和价格变化的关键观察指标。
　　值得注意的是，NAND 闪存半导体价格连续 3 个月上涨，为存储价格触底的观点提供了支持。随着人工智能的普及，信息技术设备的需求预计将继续扩大，这提升了包括三星电子和 SK 海力士在内的半导体生产商的预期。存储价格回升的原因是企业在经济衰退期间削减了大容量 NAND 的生产。市场研究公司 TrendForce 表示，数据中心对企业级固态硬盘（SSD）的需求预计在今年第二季度因 AI 行业发展而暂时调整后会恢复，中国 DeepSeek 的推出将通过普及 AI 应用和扩大数据中心建设，进一步推动企业级 SSD 的需求。
　　行业观察人士预计，个人消费者对 AI 移动设备购买量的增加将进一步推动对存储半导体的需求。市场研究公司 Gartner 预测，全球市场对生成式 AI 的支出将达到 6440 亿美元，比去年增长 76.4％，AI 智能手机和 PC 等 IT 设备预计将占总支出的 80％。
　　随着半导体需求预期反弹，包括三星电子和 SK 海力士在内的存储公司正在考虑提高芯片价格或扩大生产。全球第三大 DRAM 企业美光科技在 3 月 25 日宣布涨价，称与存储器半导体相关的各业务领域需求出现意外增长。美国 SanDisk（闪迪）也从 4 月起将 NAND 价格上调 10% 以上。
　　根据市场调研机构 Counterpoint Research 4 月 9 日发布的数据，SK 海力士以 36% 的全球 DRAM（动态随机存取存储器）市场份额（按销售额计算）首次超越三星电子（34%），成为行业新龙头。这是自 1992 年以来，三星电子首次失去 DRAM 市场头名位置，美光则以 25% 的份额位居第三。SK 海力士的逆袭主要得益于其在高端产品高带宽存储器（HBM）领域的优势。