类别：其他 出处：网络整理 发布于：2025-06-13 16:21:56 | 114 次阅读
这款节省空间的器件RthJC低至0.36℃/W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性
美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年5月29日—日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFETGen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的导通电阻低15%，而RthJC低18%。对比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L和PowerPAK 8x8SW对比
产品编号 SUM60020E SiJH5800E SiEH4800EW 封装 TO-263 PowerPAK 8x8L PowerPAK 8x8SW 尺寸 (mm) 16 x 10 8.0 x 8.0 * 8.0 x 8.0 * 高度 (mm) 4.8 1.7 1.0 * VDS (V) 80 80 80 VGS (V) ± 20 ± 20 ± 20 配置 单个 单个 单个 VGSth (V) 值 2.0 2.0 2.0 RDS(on) (mΩ) @ 10 VGS 典型值 1.75 0.97 0.88 * 值 2.1 1.35 1.15 * ID (A) 值 150 302 608 * RthJC (C/W) 值 0.4 0.45 0.36 * 熔断引线 无 无 有
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