据 The Insight Partners 报告显示，2024 年 SLC NAND 闪存市场规模达 112.9 亿美元，预计到 2031 年将攀升至 164 亿美元，2025 - 2031 年期间复合年增长率（CAGR）为 5.3%。
SLC NAND（单层单元闪存）作为一种独特的闪存技术，每个存储单元仅保存 1 位数据（0 或 1），通过双状态（已擦除 / 已编程）实现数据存储。其写入速度可达同容量 MLC NAND 的 2.5 倍，重复写入次数在 6 万至 10 万次，在工业设备、服务器及车载系统等高可靠性场景中具有不可替代的优势。早在 2008 年，东芝推出的 43nm 制程 SLC NAND 单芯片容量达 16Gb，开创了当时业内密度水平。如今，铠侠等厂商持续研发支持 ECC 功能的 BENAND 等新型号，以满足嵌入式系统对高速写入和长期稳定性的双重需求。
消费电子产品普及、物联网设备发展以及更快通信协议的应用，成为 SLC NAND 闪存市场增长的主要驱动力。然而，该闪存的高成本在一定程度上阻碍了市场扩张。不过，自动驾驶汽车的兴起和电子产品小型化趋势，预计将在未来为市场增长创造新机遇。
工业和通信行业的蓬勃发展，推动了基于 NAND 的存储技术的广泛应用。数据中心和云服务器对 NAND 闪存的需求激增，移动设备、便携式 SSD、企业级 SSD 和汽车系统等也都离不开 NAND 闪存。制造商们正致力于推出既具成本效益又有利于电子产品小型化的解决方案。例如，SK 海力士公司提供的 4D - NAND 技术，用于高性能、低功耗 NAND 闪存。2023 年 6 月，该公司宣布在 2022 年 8 月开发的基础上，开始量产其 238 层 4D NAND 闪存，并与一家全球智能手机制造商进行产品兼容性测试。4D NAND 技术利用单元下外围（PUC）技术在单元下形成外围电路，可限度提高存储容量，减小芯片尺寸并提高每个晶圆的比特生产率。
随着 4D NAND 技术的进步，存储单元能够堆叠到多层，密度高于 2D NAND，无需增加芯片物理尺寸即可生产出更大容量的 SLC NAND 闪存。同时，SLC 内存还能实现更快的读写速度，可应用于企业存储解决方案和高性能计算等关键领域。因此，4D NAND 技术的出现预计将在未来几年为 SLC NAND 闪存市场带来新的发展趋势。
此外，更快通信协议的采用率不断上升。如 4G LTE、5G、Wi - Fi 和千兆无源光网络（GPON）等协议，旨在提高数据传输速率、减少延迟并提升通信效率。数据生成和消费的增长，使得市场对更快通信协议的需求日益旺盛。精通技术的消费者追求实时应用的更快交互，更快的通信协议可降低延迟、缩短应用程序响应时间，提升用户体验。5G、物联网和增强现实等新兴技术也需要强大的通信协议来处理高数据速率和低延迟。对更快通信协议的需求催生了对高速数据处理的需求，而 SLC NAND 闪存凭借其卓越性能，成为满足这一需求的理想选择。随着数据量的增加，高性能存储解决方案的需求也水涨船高，SLC NAND 闪存成为高性能 SSD 的，为工业应用提供了高可靠性和耐用性的存储支持。Wi - Fi 6 和 GPON 等协议进一步推动了对存储解决方案的需求，SLC NAND 闪存能够高效处理这些协议下的高速数据传输。
