三星电子:2026年出货由HBM4主导 HBM5将采用2nm制程

类别:业界要闻  出处:维库电子市场网  发布于:2026-03-19 11:13:46 | 43884 次阅读

  三星电子正加速推进高带宽内存(HBM)技术的迭代升级。2026年,HBM4将成为三星出货主力,预计占全年HBM总出货量的50%以上。与此同时,三星已启动下一代HBM5的研发,其基片工艺将从HBM4的4纳米跨越式升级至2纳米制程。
  在产能规划方面,三星2026年HBM整体产量将较2025年增长超过三倍。这一扩产计划旨在满足人工智能芯片市场对高带宽内存持续攀升的需求。HBM5的基片将采用三星晶圆代工的2纳米工艺,配合1dDRAM堆叠存储技术,显著提升内存带宽和能效表现。
  技术突破方面,三星展示的HBM4E内存实现了每引脚16Gbps的传输速度,带宽高达4.0TB/s。同时,混合铜键合(HCB)技术的应用使得下一代HBM能够实现16层或更多堆叠,相比传统热压键合技术降低了20%以上的热阻。
  在AI加速器领域,三星正通过代工Groq3推理芯片扩展产业链布局。该芯片量产目标定于2026年第三季度末至第四季度初,目前订单量已超出预期。此外,LPDDR6内存技术也将迎来升级,带宽提升至每引脚30-35Gbps,并引入自适应电压调节等先进电源管理功能。
  三星的战略布局显示,尽管采用2nm等前沿制程会带来成本上升,但为满足下一代AI工作负载对内存性能的苛刻要求,工艺升级已成为必然选择。这一系列技术进步将巩固三星在高端AI存储领域的技术领先地位。

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