全球半导体巨头三星电子近日宣布向ASML订购约20台极紫外(EUV)光刻机,总价值高达34亿美元,展现出其在先进制程领域的雄心壮志。这批设备将主要用于提升10纳米级第六代DRAM(1c节点)的生产能力,并显著扩大高带宽存储器HBM4的产量规模。
此次大规模采购是三星巩固存储半导体领导地位的关键举措。据悉,新购EUV设备将部署在平泽园区Fab5(P5)第一阶段,预计明年第一季度完成交付。配合华城H3线和平泽P3/P4工厂的产能扩张,三星计划将1c DRAM月产能从当前的7万片晶圆提升至10-12万片,增幅高达170%。
在HBM领域,三星已实现技术突破,其HBM4产品不仅于今年2月达成全球首度量产,更成功打入NVIDIA供应链,应用于高性能GPU Rubin平台。随着AI计算需求爆发性增长,Rubin芯片预计将为三星带来超万亿美元的营收机会。此次产能扩张将确保三星持续满足谷歌、亚马逊等科技巨头对高性能存储的旺盛需求。
值得注意的是,三星此次采购规模远超竞争对手SK海力士上月末12万亿韩元的EUV设备订单。加上现有40台EUV设备的存量优势,三星在先进制程竞赛中已形成压倒性技术代差。分析师指出,这不仅将强化三星在当前1c节点的市场主导权,更为其在下一代1d节点DRAM(第七代10nm级)的研发竞争中抢占先机。
在逻辑芯片领域,这批EUV设备也将支持三星持续推进7nm、6nmLPP、5nmLPE等先进制程的量产工作,服务包括高通、NVIDIA、IBM在内的全球芯片设计公司。更引人瞩目的是,三星计划首次将EUV技术引入DRAM内存生产,这或将为内存芯片制造带来革命性变革,特别是在即将量产的DDR5内存领域。