全球半导体巨头台积电近日宣布启动大规模3nm制程产能扩张计划,以应对人工智能(AI)、5G及高性能计算(HPC)等领域爆发性增长的市场需求。这一战略布局将同步在中国台湾、美国和日本三地推进,预计总投资额接近560亿美元。
根据规划,台积电将在台南科学园区的超大晶圆厂聚落中新建3nm晶圆厂,计划2027年上半年实现量产;美国亚利桑那州的第二座晶圆厂已完成建设,将采用3nm制程技术,预计2027年下半年量产;日本熊本的第二座晶圆厂也将导入3nm工艺,目标2028年投产。这标志着台积电首次在单个技术节点达到目标产能后仍持续扩产。
这一决策源于台积电对市场需求的前瞻性判断。2026年第一季度财报显示,公司3nm、5nm和7nm等先进制程的收入占比已达74%,其中高性能计算平台收入同比增长20%,成为业绩增长的主要驱动力。特别是AI应用的爆发式增长,从生成式AI到代理式AI的技术演进,正持续推高对先进芯片的需求。
台积电董事长魏哲家强调,作为晶圆代工,公司有责任为客户提供的技术和充足产能。为此,台积电将2026年资本支出预算上调至520-560亿美元区间的高端,重点投入3nm及更先进的2nm工艺研发。同时计划逐步缩减6英寸和8英寸成熟制程业务,集中资源保持技术领先优势。
行业分析师指出,这次全球产能扩张不仅将缓解当前3nm芯片供不应求的局面,更将重塑全球半导体供应链格局。随着台南、亚利桑那和熊本三大基地陆续投产,台积电的全球布局将为其在AI时代的技术主导地位奠定坚实基础。