据日经亚洲报道，内存芯片短缺这一现象预计将持续至 2027 年前后。尽管美国和韩国的主要厂商正在积极扩产 DRAM，但目前的提产速度仅能覆盖约 60% 的市场需求。中东局势的动荡不安正在产生连锁反应，使得电力与原材料成本不断攀升，这进一步增加了行业供给前景的不确定性。
以三星电子为例，其计划在今年启用韩国平泽园区第四座晶圆厂，不过全面量产预计要到 2027 年或更晚。而且，该工厂还将生产逻辑芯片，这在一定程度上压缩了其内存产能的扩张空间。另外，正在建设中的第五座工厂将聚焦高带宽内存（HBM），也就是用于人工智能芯片的高性能 DRAM，然而预计要到 2028 年或更晚才会投产。三星内存业务负责人金在俊表示，行业整体产能扩张受到诸多限制，从今年至 2027 年的供给增长将较为有限。
SK 海力士已于 2 月在清州投产一座 HBM 工厂，这是包括美光在内的三大厂商中能够在今年带来新增供应的项目。同时，公司正在加快推进龙仁新厂建设，计划在 2027 年 2 月完工，比原计划提前三个月。不过，SK 集团会长崔泰源指出，受晶圆短缺及短期扩产难度限制，AI 内存紧张可能持续至 2030 年。
美光也有一系列的产能扩充计划，其打算在 2027 年于美国爱达荷州和新加坡启动 HBM 生产，并将于 5 月在日本广岛建设新厂，目标在 2028 年实现量产。此外，公司已于 1 月决定收购力积电的一座工厂，该工厂产品预计将在 2027 年下半年推出。
目前，三星、SK 海力士和美光占据全球约 90% 的 DRAM 市场份额，也是几乎具备 HBM 生产能力的厂商。近年来，三家公司将重心转向 HBM，推迟通用内存扩产，导致自 2025 年秋季起供应趋紧。今年第一季度内存价格预计环比上涨约 90%。Counterpoint Research 测算，若要缓解短缺，行业需在 2027 年前实现约 12% 的年产能增长，但现有扩产计划仅为约 7.5%。研究总监黄敏秀表示，供需关系预计要到 2028 年才会恢复正常。
