类别：其他 出处：维库电子市场网 发布于：2026-05-25 16:52:26 | 256 次阅读
全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用2300V CoolSiC MOSFET的新型XHP 2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。该模块专为高压电力系统设计，支持1500V直流母线电压，契合行业向更高系统电压发展的趋势。该模块还提供多种规格，导通电阻（RDS(on)）在1mΩ至2mΩ之间，绝缘电压为4kV或6kV。与传统硅基解决方案相比，这款新产品采用碳化硅（SiC）技术，显著降低了开关损耗与导通损耗，从而使逆变器实现更高效率和更高功率密度，或以更高开关频率运行以降低谐波并缩小系统尺寸。全新XHP 2 CoolSiC MOSFET模块适用于可再生能源领域，包括风电、光伏及电池储能系统等应用。
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