近期，中国存储芯片领域传来重大消息。中国 DRAM 龙头长鑫科技更新了科创板招股书，审核状态恢复为 “已问询”，这意味着其上市进程全面提速。仅仅过了两天，中国 3D NAND 领军企业长江存储也启动了 IPO 辅导。这两家承载着中国存储芯片本土化使命的企业，如同两颗闪耀的 “双子星”，携手向资本市场发起冲刺，共同叩响 IPO 大门，标志着中国存储产业正式迈入资本化、规模化发展的新阶段。
　　同步起步，齐头并进
　　存储芯片在集成电路行业中，属于设计与制造难度极高的类别。直至今日，全球存储市场仍被美韩巨头牢牢掌控。在 2016 年之前，我国在 DRAM 与 3D NAND 这两大核心领域几乎毫无技术积累和产业基础。然而，到了 2016 年，长鑫科技与长江存储先后诞生，为中国存储产业播下了希望的种子。
　　长江存储依托武汉新芯，于 2016 年正式起步，总投资约 240 亿美元。自成立之初，它就肩负着突破 3D NAND 技术垄断的战略重任。公司坚持自主研发核心架构，借助武汉新芯积累的半导体制造经验，迅速切入 3D NAND 赛道，并逐步构建起自身的技术体系。2025 年，长江存储终止了控股子公司武汉新芯的科创板 IPO，进一步整合资源，聚焦核心主业，凸显了集团整体资本化的战略布局。
　　长鑫科技在公司尚未注册成立时，便于 2016 年 5 月在合肥启动了长鑫科技 DRAM 基地一期项目，总投资高达 1500 亿元。该项目专注于 DRAM 的研发、生产与销售，成为当时国内投入、规格的 DRAM 产业项目之一。2017 年 11 月 16 日，长鑫存储技术有限公司正式成立。成立初期，长鑫科技面临着技术封锁、人才短缺、设备受限等重重困境，只能从破产的德国奇梦达公司引进基础，再结合自身研发进行迭代优化。到 2019 年底，长鑫科技逐渐完善了技术布局，降低了对海外技术的依赖。从 2017 年基地开工到 2019 年产品试产，长鑫科技仅用两年时间就完成了从厂房建设到产品试产的跨越式发展。2025 年 7 月，长鑫科技启动 IPO 辅导，10 月通过验收，12 月 IPO 获受理；2026 年 3 月因财务资料过期中止审核，5 月 17 日更新招股书并恢复 “已问询” 状态，上市进程全面提速。
　　截至目前，两家企业均已成长为国内各自赛道的领军企业。长鑫存储成为中国大陆实现 DRAM 大规模量产的 IDM 厂商，长江存储则成为全球领先的 3D NAND 闪存供应商，二者形成 “双轮驱动” 格局，逐渐在国际市场崭露头角。
　　技术突破，筑牢壁垒
　　技术研发是存储芯片产业的核心竞争力。长鑫存储与长江存储自成立以来，持续加大研发投入，成功突破多项核心技术瓶颈，形成了各具特色的技术优势。
　　长鑫科技聚焦 DRAM 赛道，始终以技术迭代为核心，逐步突破先进制程与产品品类的双重壁垒。成立初期，长鑫科技以奇梦达的 90nm DRAM 技术为基础，逐步迭代优化。2019 年 7 月，实现 8Gb DDR4 工程样品试产，标志着国产 DRAM 实现从 0 到 1 的突破；2020 年，实现 DDR4 产品规模化量产，良率逐步提升至 70% 以上；2023 年 11 月，正式推出 LPDDR5 系列产品，成为国内推出自主研发生产 LPDDR5 产品的品牌，并应用于国内主流手机厂商机型；2025 年 11 月，公司发布的新一代 DDR5 产品系列，速率达 8000 MT/s，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域；2026 年 4 月，LPDDR6 已进入送样阶段，有望 2026 年下半年，实现中国存储厂商在主流旗舰内存领域的首发突破。在制程工艺上，长鑫科技逐步突破 17nm 工艺壁垒，目前 17nm DRAM 工艺良率已稳步提升至 80%，同时，积极布局前瞻技术，加速推进 HBM3 研发，计划 2027 年实现量产，填补国产 HBM 领域的空白。
　　长江存储则聚焦 3D NAND 赛道，以自主研发的 Xtacking 架构为核心，走出了一条差异化的技术突破之路。2017 年，长江存储研制成功中国第一颗 3D NAND 闪存芯片，打破了海外厂商在该领域的技术封锁；2018 年 8 月，公开发布其突破性技术 ——Xtacking 架构，可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，再通过数十亿根垂直互联通道将两片晶圆键合，相比传统 3D NAND 闪存架构可带来更快的 I/O 传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期，成为长江存储的核心技术壁垒。在堆叠层数上，2019 年 9 月，长江存储正式宣布量产基于 Xtacking 架构的中国首款 64 层 256Gb TLC 3D NAND 闪存；2021 年，量产 128 层 3D NAND 芯片，进一步提升了存储密度和性能；2024 年，量产 232 层 3D NAND 芯片，该芯片基于 Xtacking 4.0 架构，通过双层堆叠实现等效 294 层存储密度，存储密度达 20Gb/mm?，I/O 速度超过 7000MB/s。截至目前，长江存储的申请数量超过 1 万件，凭借 Xtacking 架构形成了坚实的壁垒，2025 年 2 月，更是向海外巨头授权关键技术，实现了中国存储技术的反向输出。
　　产能扩张，满足需求
　　存储芯片产业具有重资产、高投入、高壁垒的特点，产能规模直接决定企业的市场竞争力。长鑫科技与长江存储成立以来，持续加大产能投入，逐步实现从试点量产到规模化扩张的跨越，产能规模稳步提升，逐步满足国内市场对国产存储芯片的需求，并走向全球市场。
　　长鑫科技的产能布局主要集中在合肥，目前已建成 3 座 12 英寸晶圆厂，聚焦 DRAM 产品的规模化生产。2019 年，长鑫科技实现 DDR4 产品试点量产，月产能 1 万片左右；2020 年，月产能逐步提升至 3 万片，良率稳定在 70% 以上；2022 年，月产能突破 5 万片，实现规模化量产，逐步满足国内 PC、服务器厂商的基础需求；2024 年，月产能提升至 8 万片，产品覆盖 DDR4、DDR5、LPDDR5 等多个品类；2026 年，随着 IPO 募资项目的推进，月产能计划提升至 12 万片，其中高端 DDR5、LPDDR5 产品产能占比将提升至 60% 以上，进一步满足 AI 服务器、高端手机等领域的需求。从市场份额来看，全球 DRAM 市场长期被三星、SK 海力士、美光三巨头垄断，长鑫科技作为后起之秀，市场份额稳步提升。据了解，2023 年第四季度，长鑫科技的全球市场份额仅为 4.2%；2024 年第四季度，提升至 6.8%；2025 年第四季度，进一步增至 7.67%，跃居全球第四。根据长鑫科技 IPO 招股书，其 2026 年第一季度营业收入达 508 亿元，同比增长 719.13%，净利润 330.12 亿元，同比增长 1268.45%，业绩爆发的核心原因之一就是产能释放与产品结构优化。截至 2026 年第一季度，长鑫科技 DRAM 产品年产量已达 96 万片晶圆，折合 8Gb DDR4 芯片约 12 亿颗，能够满足国内约 15% 的 DRAM 市场需求，有效缓解了国产 DRAM 的进口依赖。同时，公司计划在 2027 年前，将月产能提升至 15 万片，进一步扩大市场份额。
　　长江存储的产能布局集中在武汉，目前运营两座 12 英寸晶圆厂，主要生产 3D NAND 闪存芯片，同时三期工厂正在加速建设中。2019 年，长江存储 64 层 3D NAND 实现量产，月产能约 2 万片；2021 年，随着 128 层产品的量产，月产能提升至 5 万片；2023 年，月产能突破 10 万片，产品覆盖 64 层、128 层、232 层等多个规格；2026 年第一季度，月产能已达 18 万片，两座晶圆厂合计月产能约 20 万片，232 层 3D NAND 芯片产能占比达 40%，能够满足国内智能手机、固态硬盘等领域的部分需求。2025 年，长江存储与湖北长晟三期共同出资 207.2 亿元成立长存三期（武汉）集成电路有限责任公司，布局产能扩张，三期工厂设备安装已启动，预计 2026 年底投产，全部达产后，长江存储月产能将达 50 万片，年产量折合 128Gb 3D NAND 芯片约 60 亿颗，能够满足全球约 15% 的 NAND 市场需求。此外，长江存储还围绕 “存算一体” 的产业发展趋势，布局存算一体产业化基地，计划 2028 年在武汉光谷建成投用，进一步完善产能布局与产业链配套。在市场份额方面，在 3D NAND 领域，全球市场同样被美韩日厂商主导，2025 年第四季度，三星、铠侠、SK 海力士、美光四家企业合计占据全球 85% 的市场份额。长江存储凭借 Xtacking 架构的技术优势，市场份额快速提升：2023 年第四季度，全球市场份额为 8.2%；2024 年第四季度，提升至 11.5%；2026 年第一季度，进一步增至 16.4%，位列全球第四。国内市场方面，长江存储 2026 年第一季度占据国内 3D NAND 市场份额约 35%，成为国内的 3D NAND 供应商，产品广泛应用于智能手机、固态硬盘、U 盘、数据中心等领域。同时，长江存储积极拓展海外市场，2025 年海外营收占比达 30%，产品出口至欧洲、东南亚、南美洲等地区，逐步提升全球市场影响力。
　　机遇挑战，迈向领先
　　以人工智能为代表的新兴应用爆发，驱动全球数据存储需求持续增长，存储产业迎来 “超级周期”，为长鑫科技与长江存储带来了前所未有的发展机遇。但同时，两家企业也面临着技术差距、市场竞争、周期波动等多重挑战，未来发展任重而道远。
　　从发展机遇来看，全球存储市场需求持续旺盛。Omdia 数据显示，全球 DRAM 市场规模有望从 2025 年的 1505 亿美元增至 2030 年的 5710 亿美元，年均复合增长率达 30.56%，NAND 市场同样保持高速增长，AI 服务器、智能手机、固态硬盘等需求持续旺盛。其中，AI 服务器对存储芯片的需求尤为突出，单台 AI 服务器 DRAM 用量是传统服务器的 8 - 10 倍，HBM 作为 AI 服务器的核心内存，市场需求迎来爆发式增长，这为长鑫科技的 HBM 研发与量产提供了广阔市场空间；同时，本土化进程持续推进，国内科技企业对国产存储芯片的需求不断提升，为两家企业提供了稳定的客户基础。此外，上市后，两家企业将获得更充足的资本支持，加速技术研发与产能扩张，进一步提升市场竞争力。
　　然而，两家企业也面临着诸多挑战。一是技术差距依然存在。在 DRAM 领域，三星、SK 海力士已量产 14nm、12nm 工艺，HBM 技术成熟，而长鑫科技 17nm 工艺刚趋于稳定，HBM3 尚未量产；在 NAND 领域，三星已量产 300 层以上堆叠芯片，长江存储 232 层技术仍在爬坡，高端产品的良率与成本控制仍有提升空间。二是市场形势变化莫测。近日，在韩国国家工程院第 285 届 NAEK 论坛上，三星电子设备解决方案部门常任顾问、三星半导体（DS）部门前总裁庆桂显（Kye - hyun Kyung）表示，随着中国企业积极扩大产能，全球存储芯片的供应格局或将迎来剧变，内存价格有望在明年下半年或 2028 年上半年显著下跌。两家企业需要做好应对方案，降低风险。