在数据中心对 NAND 闪存需求急剧增长的当下，日本铠侠控股公司正积极行动，试图凭借率先实现商业化的新技术，重新夺回在 NAND 闪存市场的份额。
铠侠将于周二举办一年来的首次投资者战略说明会。自上次说明会之后，该公司股价大幅上涨了 34 倍，此次说明会自然吸引了众多投资者的目光。作为存储芯片供应商，铠侠预计会在会上介绍其技术发展的路线图。
铠侠的一位工程师表示：“我们之所以先于其他公司进行投资，是因为我们坚信 NAND 闪存有着巨大的未来潜力。相较于竞争对手，我们具备压倒性的优势。” 他对与三星电子等对手的竞争充满信心。
长期以来，用于长期数据存储的 NAND 闪存竞争焦点在于通过垂直堆叠存储单元来提升存储容量。这项堆叠技术由铠侠的前身东芝在 2007 年开发。然而，近年来铠侠在堆叠层数方面被认为落后于竞争对手。2023 年春季，铠侠宣布研发出 218 层结构的产品，同年夏季，韩国 SK 海力士宣布研发出超过 300 层结构的产品，而目前铠侠的主要产品仍采用 218 层结构。
鉴于难以在堆叠层数上超越对手，铠侠凭借其粘合技术开辟了新的发展路径。NAND 闪存除了存储信息的存储单元外，还包含控制数据输入和输出的电路，通常存储单元和控制电路形成在同一片作为衬底的硅片上。而铠侠的 CBA 键合技术，是将存储单元和控制电路分别制作在不同的晶圆上，再将两片晶圆键合在一起，这使得晶圆上存储单元和其他组件的布局更为高效，从而提高了 NAND 闪存的存储密度。铠侠抢先于竞争对手实现了这项技术的商业化。
岩井证券分析师斋藤和义指出：“铠侠 NAND 闪存的读写速度比竞争对手快 20% 到 30% 左右。” 尽管在 2023 年底铠侠发布 CBA 技术时，业内部分人士反应冷淡，认为堆叠式存储才是更直接有效的方案，但随着 NAND 闪存处理速度对人工智能的重要性日益凸显，CBA 技术逐渐成为关注焦点。铠侠的旗舰产品已采用这项技术，分析师铃木俊哉表示：“随着人工智能服务器的普及，需求将持续增长。”
不过，铠侠也面临着诸多挑战。三星电子等竞争对手在人工智能发展早期将投资重点放在 DRAM 上，这虽使铠侠在 NAND 技术研发方面相对有优势，但铠侠的市场份额停滞不前。据台湾市场研究公司 TrendForce 报告，今年 1 - 3 月季度，铠侠在全球 NAND 闪存营收中位列第三，市场份额为 13.9%，远落后于全球领先者三星的 31.6%。此外，铠侠在数据中心领域的客户基础较弱，减缓了价格上涨的传导速度，且人工智能领域对 NAND 闪存的需求预计要到 2025 年秋季左右才会开始，其新技术尚未得到充分评估。同时，三星电子和 SK 海力士凭借强大的产能与买家签订长期合同，这让铠侠难以迅速夺回市场份额。铠侠需要依靠自主研发的技术，赢得数据中心客户的认可，以在竞争激烈的 NAND 闪存市场中突围。
