联发科携手英特尔,下一代芯片独选 EMIB-T 封装

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2026-06-04 11:45:41 | 6436 次阅读

  联发科发表声明称,其下一代芯片计划采用英特尔的 EMIB-T 封装技术。按照规划,该芯片将于 2026 年第四季度完成流片,并在 2027 年第四季度实现量产。
  目前,虽然还不清楚联发科具体哪些芯片会采用 EMIB-T 封装,但业内分析认为,可能涉及定制 AI 芯片或系统级芯片(SoC)。值得注意的是,联发科已在积极引入新的供应商,以满足 EMIB-T 封装带来的订单需求。对于英特尔的代工业务而言,这无疑是一个战略性的胜利,意味着英特尔在封装技术领域的优势得到了行业的认可。
  过去几个月里,半导体供应链围绕这一合作进行了长时间的讨论。与此同时,谷歌计划于 2027 年发布的 TPU v9 也有可能采用 EMIB 封装。作为谷歌定制 TPU 的合作伙伴,联发科应当与谷歌一并对英特尔提供的封装技术进行了评估。
  EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)是业内 2.5D 嵌入式桥接解决方案,英特尔自 2017 年以来一直在出货基于该技术的产品。该技术使用小型嵌入式硅桥,在单个封装内部连接多个小芯片,从而取代了体积较大的中介层。而 EMIB-T 是在标准 EMIB 基础上的演进版本,重点提升了封装供电效率,并加快了芯片间的通信速度。
  标准 EMIB 连接存在悬臂式供电路径,导致较高的电压降问题。而 EMIB-T 引入了硅通孔(TSV),从芯片封装底部直接通过 TSV 桥接芯片进行供电,形成了一条直接、低电阻的供电路径,这对于 HBM4 / HBM4E 的集成尤为关键。此外,TSV 还提高了芯片间的通信带宽,EMIB-T 采用 UCIe-A 互连技术,可将数据传输速率提升至 32 Gb/s 或更高。
关键词:英特尔

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