半导体行业传来一则重磅消息。联发科发表声明,其下一代芯片计划采用英特尔的 EMIB - T 封装技术。按照规划,该芯片预计在 2026 年第四季度完成流片,2027 年第四季度实现量产。
目前,虽尚不清楚联发科具体哪些芯片会采用 EMIB - T 封装,但业内分析人士推测,可能涉及定制 AI 芯片或系统级芯片(SoC)。有传闻称,联发科已在积极引入新的供应商,以满足 EMIB - T 封装带来的订单需求。这对于英特尔的代工业务而言,无疑是一场战略性的胜利。
在过去几个月里,半导体供应链针对此事已进行了长时间的讨论。值得关注的是,谷歌计划于 2027 年发布的 TPU v9 也有可能采用 EMIB 封装。作为谷歌定制 TPU 的合作伙伴,联发科应当与谷歌一并对英特尔提供的封装技术进行了评估。
EMIB(嵌入式多芯片互连桥接)是业内 2.5D 嵌入式桥接解决方案。自 2017 年起,英特尔便开始出货基于 EMIB 技术的产品。该技术使用小型嵌入式硅桥,在单个封装内部连接多个小芯片,取代了体积较大的中介层。而 EMIB - T 是在标准 EMIB 基础上的演进版本,重点提升了封装供电效率,并加快了芯片间的通信速度。
标准 EMIB 连接存在悬臂式供电路径,会导致较高的电压降问题。而 EMIB - T 引入了硅通孔(TSV),从芯片封装底部直接通过 TSV 桥接芯片进行供电,形成了一条直接、低电阻的供电路径,这对于 HBM4 / HBM4E 的集成尤为关键。同时,TSV 也提高了芯片间的通信带宽。EMIB - T 采用 UCIe - A 互连技术,可将数据传输速率提升至 32 Gb/s 或更高。