英伟达与SK海力士的多年技术合作（点击回顾）刚刚官宣一天，三星电子便披露了其与英伟达在HBM及晶圆代工领域的合作细节。
据韩媒报道，6月8日，英伟达创始人兼CEO黄仁勋在首尔新罗酒店与三星电子副董事长兼CEO、设备解决方案部负责人全永铉（Jun Young-hyun）举行了闭门商务会议。全永铉在会后的采访中表示，双方不仅就短期的HBM4供应进行了深入对话，还广泛讨论了涵盖HBM4E、HBM5以及下一代芯片代工的长期联合发展计划。他强调，三星今年将全力保障HBM4及低功耗内存模组SOCAMM的充足供应。
在晶圆代工领域，三星首次详细披露了为英伟达提供服务的核心项目。三星目前已是英伟达4nm工艺Groq 3(LP30)LPU芯片的合同制造合作伙伴，双方正在就下代Groq LPU系列AI加速器芯片的合作进行深入商讨。英伟达后续规划了Rubin世代的LP35 LPU和Feynman世代的LP40 LPU，双方正在积极探讨后续生产合作事宜。此外，三星正在利用其4纳米和8纳米工艺节点，为英伟达生产自动驾驶芯片及加速器芯片。
英伟达于6月5日确认，SK海力士、三星电子和美光科技均已通过，可为英伟达的AI加速器供应HBM4内存。该内存是英伟达下一代人工智能平台Vera Rubin的关键组成部分。英伟达于6月正式宣布Vera Rubin平台进入全面量产阶段，首批产品将在第三季度交付，第四季度启动大批量产能爬坡。该平台采用"GPU+LPU"架构，单颗GPU功耗提升至2000W以上，整机柜功耗超过600kW，首次将全液冷作为强制标配，互联技术从NVLink 5.0升级至NVLink 6.0，存储方面采用HBM4内存，单GPU显存容量达到288GB，带宽为22TB/s。
当被问及是否会签署正式的长期供货协议时，全永铉拒绝透露具体细节，仅强调“我们将继续专注于自己的工作，稍后会公布结果”，并表示将以实际的HBM和代工业务成果来证明自身的竞争力。他对媒体表示：“我们合作已久，但我认为今天的谈话是迄今为止的。”
