类别：业界要闻 出处：维库电子市场网 发布于：2026-06-12 11:30:14 | 39183 次阅读
AI 算力需求持续爆发，高端存储芯片供需紧平衡格局持续加剧，全球存储大厂集中落地扩产规划。2026 年 6 月 2 日，SK 集团董事长崔泰源亮相 Computex 展会，同日日本铠侠社长太田裕雄在业绩发布会披露建厂评估计划，韩日两大存储龙头分头加码 DRAM、NAND 产能
SK 集团董事长崔泰源在 Computex 展会现场公布重磅产能规划，旗下 SK 海力士计划未来五年晶圆产能实现翻倍，以此化解 AI 带来的长期产能短板。崔泰源判断，存储产能紧缺问题或将延续至 2030 年，HBM 等高带宽存储受大模型、AI 服务器拉动需求暴涨，扩产是匹配行业刚需的必然选择。针对整体投资总额，受土地、设备、电力成本波动影响暂未敲定具体金额，但公司明确 2026 年资本开支将大幅高于 2025 年 30.2 万亿韩元，同时 SK 海力士已递交美股 ADR 发行申请，借助海外资本市场筹措扩产资金。
从落地进度来看，SK 海力士扩产重心全部倾斜 HBM 高端产品线。清州 M15X 工厂已于今年 2 月量产 HBM4 配套晶圆，起步月产 1 万片，年内产能爬坡至 5.5 万～6 万片；龙仁半导体集群首座厂房稳步施工，洁净室预定 2027 年 2 月投产，园区已聚合 50 余家材料、零部件与设备配套企业。2024 至 2026 年公司大额资本开支聚焦 HBM 专用设备、洁净室建造与先进封装升级，同步采购 EUV 等设备，夯实高端存储量产根基。
就在 SK 海力士加码 HBM 与 DRAM 产能的同一窗口期，NAND 龙头铠侠跟进扩产布局。据日经 6 月 3 日消息，铠侠社长太田裕雄在 6 月 2 日业绩说明会表示，公司已启动北上工厂新厂房评估工作，新厂房预计 2029-2030 年后投产。目前铠侠量产基地集中在四日市、北上两处厂区，北上现有两座厂房，新厂区落地将直接增厚 NAND 闪存产能。管理层预判，AI 数据中心扩容带动大容量闪存需求走高，NAND 景气行情至少维持至 2027 年。资金端，铠侠上调设备投入预期，由原先 2026 财年 4500 亿日元，更新为 2026 至 2028 年年均设备投资 4700 亿日元，资金定向用于产线迭代与新厂建设，锚定算力存储增量订单。
一边是 SK 海力士主攻 AI 芯片刚需 HBM、服务器 DRAM，另一边铠侠深耕数据中心 NAND 闪存，日韩存储龙头分别卡位两大核心存储品类。本轮扩产摆脱过往手机、PC 消费端驱动逻辑，由 AI 算力基建长期需求托底，彻底改写存储周期性规律。随着两地新增产能陆续落地，上游半导体设备、原材料，中游 AI 芯片、下游服务器与 IDC 产业链全线受益，全球存储正式进入 AI 驱动的超长周期。
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