三星量产先进存储设备,4 纳米控制器助力读写速度飙升

类别:名企新闻  出处:网络整理  发布于:2026-07-08 13:58:06 | 2258 次阅读

  三星电子正式开启了其数据中心存储设备的大规模量产工作,该产品将应用于英伟达即将推出的 Vera Rubin 平台。
  这款企业级固态硬盘型号为 PM1763,早在今年早些时候的英伟达 GTC 大会上就已首次亮相。其性能表现十分出色,顺序读取速度峰值可达 28.4GB/s,顺序写入达 21GB/s,整体吞吐性能几乎达到 PCIe 5.0 旗舰级 SSD 的两倍。其容量覆盖范围为 4TB 至 64TB,能够充分满足大规模 AI 数据集的存储需求。
  从形态规格来看,PM1763 提供了 EDSFF E1.S 和 E3.S 两种尺寸,这两种尺寸均能完整支持 PCIe 6.0 带宽。相比之下,传统 U.2 形态仅能运行于 PCIe 5.0,在高速信号传输的稳定性方面会受到一定影响。此前,三星还将该产品与下一代高带宽内存 HBM4 及低功耗内存模组 SOCAMM2 共同展示,作为专门为 AI 数据中心打造的综合解决方案之一。
  值得一提的是,PM1763 采用了的 V - NAND 闪存芯片和新研发的 4nm 制程控制器,使得读写性能较前代产品提升超过一倍。这有助于显著降低先进处理器和 AI 加速器的数据访问延迟,提高数据处理效率。
  在散热方面,PM1763 采用了直接接入服务器一体化液冷循环回路的设计,与 CPU、GPU 及内存共用液冷系统。这样可以快速带走主控与闪存芯片持续工作产生的热量。三星强调,液冷方案的核心价值不仅在于降低硬件温度,更重要的是避免高温引发的性能骤降。因为 AI 训练与实时推理都是 7×24 小时不间断的高负载场景,任何降速都可能影响整组服务器集群的运算效率。液冷所带来的持续稳定性能输出,对算力业务的实际增益远超单纯的节能效果。
关键词:三星控制器

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