ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2026-07-13 14:35:18 | 15875 次阅读

  ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品,通过采用将散热面置于封装顶部的结构,实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的车载充电器(OBC)和电动压缩机等应用时,可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。

  新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计,确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容,同时,还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此,在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计,有助于降低安装成本并提高可靠性。
  另外,通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET,还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低,有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。
  新产品已于2026年6月开始量产(样品价格:5500日元/个,不含税),且同时开始线上销售。此外,ROHM官网还提供仿真模型,助力客户快速进行电路评估。
关键词:SiC MOSFET

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