在当今科技飞速发展的时代，内存作为电子设备的关键组件，其供应情况一直备受关注。当下，人们对于内存危机的担忧情绪弥漫，但实际情况或许比想象的更为复杂，NAND 闪存和 DRAM 这两大内存领域呈现出截然不同的发展态势。
NAND 闪存：供应有望下半年改善 TrendForce 发布的 NAND 闪存报告为期待 SSD 价格回归正常的用户带来了希望。由于人工智能需求的爆发式增长与产能扩张的限制相矛盾，2026 年 NAND 闪存市场持续供不应求，供应缺口预计在 4% - 5% 之间。不过，这种紧张局面有望在 2027 年下半年得到缓解。供应商积极转向更先进的制造工艺，逐步提高比特产量，同时有选择性地升级现有生产线。中国制造商也在加大投入，安装新设备，预计其在全球 NAND 比特产量中的份额将提升至近 19%。
从市场需求端来看，目前服务器占据了 NAND 闪存消费量的 40% 以上，英特尔和 AMD 下一代服务器平台的出货量预计将推动今年服务器总出货量增长 17%。然而，智能手机和笔记本电脑市场却表现疲软，二者需求量合计接近 40%。TrendForce 预计，到 2026 年，智能手机产量将下降 15% - 20%，笔记本电脑出货量将下降约 10%。与 Silicon Motion 此前警告的 2027 年将是 NAND 闪存供应糟糕的一年相比，TrendForce 的预测相对乐观，认为供应增长终会在下半年超过需求。
DRAM：短缺或持续十年 与 NAND 闪存的情况不同，DRAM 市场面临着更为严峻的挑战。Adata 董事长陈立白表示，业界低估了人工智能基础设施未来对 DRAM 的需求。尽管三星、SK 海力士和美光都有扩张计划，但他认为 DRAM 短缺的情况可能会持续十年。计划在 2028 - 2035 年间投产的新工厂可能仍无法满足市场需求。陈立白还驳斥了有关人工智能泡沫的担忧，认为在 2040 年甚至 2050 年之前，都不应认真讨论这一话题。他指出，Meta 和 xAI 租赁过剩计算能力的报道并不意味着需求放缓，因为人工智能正在向更多商业和政府应用领域拓展。
SK 海力士 CEO 郭鲁正也发出警告，从供应角度来看，2027 年 “将是该行业历史上糟糕的一年”。预计 2027 - 2028 年与存储器相关的晶圆供应量将以每年约 12% 的速度增长，但其中约一半的供应量将用于 HBM。三星和 SK 海力士的 HBM 出货量都将大幅增加，这将导致 2027 - 2028 年非 HBM DRAM 位增长限制在每年 15%，而届时需求预计将增长 22%。这场内存危机已经导致 DDR5 内存套装价格从 100 美元左右飙升至 400 美元以上，重新刺激了对 DDR4 内存的需求，并引发了内存成本上涨可能导致 PC 和智能手机价格上涨高达 8% 的警告。
