在人工智能（AI）技术蓬勃发展的当下，日本 NAND 闪存行业第三大厂商铠侠（Kioxia）正积极瞄准下一代 AI NAND 市场。该公司计划在今年陆续量产针对 AI 数据中心和终端 AI 行业优化的标准 NAND 解决方案，这一举措有望使其加快与三星电子、SK 海力士等存储厂商的竞争步伐。
据业内人士于 3 日透露，铠侠计划在今年量产的标准 NAND 解决方案，涵盖 “PCIe（PCI Express）6.0” 和 “UFS（Universal Flash Storage）5.0”。市场研究公司 TrendForce 的数据显示，今年第一季度，铠侠在全球 NAND 闪存市场的份额为 13.9%，第三，落后于三星电子的 31.6% 和 SK 海力士的 17.6%。尽管铠侠的销量规模与国内存储器行业相比相对较小，但其技术发展速度却十分可观。特别是在高性能、高效率的 NAND 闪存领域，随着人工智能行业需求的激增，铠侠在今年取得了显著进展。
上月初，铠侠在日本岩手县北上工厂（K2）启动了第十代（BiCS 10）3D NAND 的量产工作。NAND 闪存技术的发展是通过将存储单元垂直堆叠成层层结构来实现的，铠侠的第十代 NAND 闪存拥有 332 层堆叠结构。而三星电子和 SK 海力士目前已成功量产至第九代 NAND 闪存。虽然各公司每代 NAND 闪存的层数不同，难以进行简单的比较，但铠侠量产超过 300 层的高堆叠 NAND 闪存仍具有重要意义。
基于此，铠侠推出了支持 PCIe 6.0 的数据中心级 eSSD “CM10”。PCIe 6.0 SSD 作为的接口标准，已于今年开始量产。铠侠表示，与之前的产品相比，CM10 的顺序读取性能提升高达 92%，随机读取性能提升约 85%。此外，该公司还计划在今年年底前开始量产面向设备端人工智能市场的 UFS 5.0 闪存。UFS 5.0 是今年商业化的嵌入式存储标准，主要用于移动 NAND 闪存，其数据处理速度约为上一代 UFS 4.1 的两倍。铠侠的 UFS 5.0 采用了自主研发的控制器和第八代 NAND 闪存。
面对铠侠的积极攻势，国内存储器产业也在加速研发的 NAND 解决方案。行业领军企业三星电子发起了猛烈的竞争攻势。上月初，三星电子开始量产 PCIe 6.0 eSSD “PM1763”，该产品采用了第九代 V - NAND 闪存和基于 4nm 工艺的新型控制器。UFS 5.0 闪存的研发工作已于去年 6 月完成，并将于今年第四季度开始量产。三星电子的 UFS 5.0 闪存基于第九代 NAND 闪存技术，具备业界的 10.8 GB/s 数据传输带宽和卓越的能效。此外，三星电子宣布将于本月开始量产其下一代第十代（V10）NAND 闪存，据估计，三星 V10 NAND 闪存将拥有约 430 层。从第十代产品开始，该公司将首次采用混合键合和三层堆叠技术，即将闪存单元堆叠三层。
一位半导体行业人士解释称：“三星电子似乎已正式宣布了 V10 NAND 闪存的量产计划，此前该公司已完成内部 PRA（产品生产批准）。然而，由于尚未开始对生产设施进行全面投资，实际产量预计不会很高。”
