三星电子的晶圆代工业务正着力加强 5 纳米(1 纳米为 1/1,000,000,000 米)工艺的生产。业内分析认为,鉴于当下需求的 4 纳米工艺利用率已达极限,三星将 5 纳米工艺作为替代方案。
据半导体行业 5 日消息,三星晶圆代工的 4 纳米工艺预计要到明年才能实现满负荷运转。一位半导体行业人士透露,随着三星电子 HBM4(高带宽存储器)订单量急剧增加,4 纳米生产线的利用率大幅提升,存储器部门已成为该代工厂的客户。此外,英伟达推理 LPU(语言处理单元)“GROK - 3” 的产量超出预期,也对 4 纳米工艺达到满负荷产能造成了影响。
在此情况下,三星晶圆代工把 5 纳米工艺视作 4 纳米工艺的替代选择。其策略是向无晶圆厂(专注于半导体设计的企业)客户推广 5 纳米工艺。该工艺具备成熟的良率和性能,对于那些难以过渡到 2 纳米或 3 纳米工艺(相较于 4 纳米工艺,2 纳米或 3 纳米工艺成本更高)的客户来说,是更具成本效益的方案。另一位半导体行业人士表示,2 - 3 纳米先进工艺在良率和成本方面给客户带来了沉重压力,而 4 纳米生产线已饱和。三星电子积极推广良率稳定的 5 纳米工艺,无晶圆厂公司也在认真考虑这一方案。
5 纳米工艺原本被归类为专为汽车应用设计的工艺线。像现代汽车公司计划在 2030 年前量产的 ADAS(驾驶辅助系统)芯片、Bose 半导体公司的 SoC 以及 Telechips 公司的汽车级 AP Dolphin 7 芯片,都计划采用专为汽车应用设计的 SF5A 工艺进行量产。近来,其应用范围不断扩大,涵盖了服务器以及高性能人工智能和神经网络处理单元(NPU)芯片等领域。有半导体行业人士解释称,5 纳米工艺也适用于制造高性能服务器芯片,所以海外无晶圆厂公司仍在持续签署许可协议,过去三四个月,客户对 5 纳米工艺的需求明显增加。
此外,台积电先进生产线的产能过剩以及全球地缘政治因素,对三星晶圆代工的 5 纳米订单起到了积极推动作用。随着台积电 3 纳米、4 纳米和 5 纳米生产线的供需关系趋紧,中国和印度的无晶圆厂厂商将目光投向三星的 5 纳米生产线,以满足对先进工艺的需求并规避制裁。三星晶圆代工合作伙伴公司的一位官员称,对于受美国对华制裁影响、需要确保先进工艺性能的中国和印度无晶圆厂公司而言,三星晶圆代工是现实的选择。三星电子正从 5 纳米工艺中获得间接收益,因为它吸纳了被台积电挤出的小批量客户。