IPP045N10N3
INFINEON(英飞凌)
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
小功率
数据列表 IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G 产品相片 TO-220-3 标准包装 500 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 OptiMOS™ 包装 管件 FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc) 不同Id,Vgs 时的Rds On(值) 4.5 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3.5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 117nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 8410pF @ 50V 功率 - 值 214W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商器件封装 TO-220-3
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