Si7170DP-T1-GE3,QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0034Ω
VISHAY
QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8
无铅环保型
贴片式
2500/盘
产品型号:Si7170DP-T1-GE3 特点 * 无卤素 * TrenchFET Power MOSFET * 100%的Rg测试 * 1005的雪崩测试 应用 * 低端笔记本电脑 * VRM POL 封装:QFN-8 5*6/PowerPAK SO-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0034 @VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2.6 功率PD(W):48 输入电容Ciss(PF):4355 typ. 通道极性:N沟道 低频跨导gFS(s)：90 单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80 导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ. 上升时间Tr(ns):10 typ. 关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ. 下降时间Tf(ns):8 typ. 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,40A N-沟道增强型场效应晶体管
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