Ramtron推出具高速串口I2C内存接口非易失性F-RAM器件
RamtronInternationalCorporation宣布推出型号为FM24L256的256千位(Kb)、2.7至3.6V工作电压、具高速串口I2C内存接口的非易失性F-RAM器件。它采用小型8脚封装，不但提供高性能数据采集功能，而且还能减
北京时间3月2日下午消息，据国外媒体报道，由于无力支付2.66亿美元的债务利息，美国手机内存芯片厂商飞索申请了破产保护，以重组债务。飞索在昨天向位于特拉华州威尔明顿美国破产法院递交的破产保护申请文件中表示，截至2008年第三季度其债务为24亿...
美国联邦法院法官罗纳德-怀特(RonaldWhyte)日前裁定，韩国海力士半导体公司(以下简称“海力士”)可以继续在美国销售其DRAM内存芯片产品。怀特拒绝了美国内存芯片制造商Rambus提出的禁止海力士在美国销售DRAM内存芯片的请求。这一裁定是
据新浪网报道，美国联邦法院法官罗纳德-怀特(RonaldWhyte)日前裁定，韩国海力士半导体公司(以下简称“海力士”)可以继续在美国销售其DRAM内存芯片产品。怀特拒绝了美国内存芯片制造商Rambus提出的禁止海力士在美国销售DRAM内存芯片的请
分类：名企新闻 时间：2009/2/26 阅读：935 关键词：DRAM
内存业内有一个共识：就算所有厂商都停产，现有内存库存也能支持半年需求。不过，现在的情形是：要想要拿到足够数量的内存，基本是不可能的。内存是电脑的关键部件，春节过后，这种产品正在经历着一轮久违的涨价，且货源短缺。“整个行业供应链都很...
时间：2009/2/23 阅读：526
美光科技有限公司日前推出高性能、低功耗移动DDR2（LPDDR2）组合，以改善包括传统手机、智能电话和流行的移动互联网设备（MID）在内的应用性能，降低其内存功耗。移动LPDDR2技术是美光和南亚科技公司通过联合开发计划合作开发的。美光的移动LPD
作为台湾地区的存储芯片大厂，茂德科技在2月14日遭遇了一点也不甜蜜的“情人劫”。当日，有一笔110亿元新台币(约3.2亿美元)的海外公司债到期，但直到13日，茂德仅筹措到33亿元。事实上，从今年1月起，金融危机引发了全球IT行业的新一波裁员浪潮，截
分类：业界要闻 时间：2009/2/18 阅读：980
作为台湾地区的存储芯片大厂，茂德科技在2月14日遭遇了一点也不甜蜜的“情人劫”。当日，有一笔110亿元新台币(约3.2亿美元)的海外公司债到期，但直到13日，茂德仅筹措到33亿元。事实上，从今年1月起，金融危机引发了全球IT行业的新一波裁员浪潮，截
时间：2009/2/17 阅读：680
2009年1月底，全球第二大DRAM公司，300mm晶圆工业的和个人电脑、服务器、DRAM市场的供应商之一奇梦达已经宣布倒闭。该公司由总部位于德国的英飞凌科技在2006年5月分拆而成。奇梦达的业务领域主要集中在DRAM内存领域。包括电脑主
分类：名企新闻 时间：2009/2/13 阅读：919
据国外媒体报道，破产的德国内存芯片制造商奇梦达周二表示，公司将大幅削减产能，并需要在3月底之前找到接手买家，否则公司将面临被强行关闭的命运。奇梦达在一份声明中称，为应对消极的市场及减少亏损业务的支出，并保持资金的流动性，公司将削减...
分类：名企新闻 时间：2009/2/11 阅读：866 关键词：制造商
Inter悄悄宣布了推迟发布代号Tukwila的四核心安腾处理器，这则消息被淹没在年终假期、美国大选和全球经济危机的新闻大潮中。服务器市场总监苏姗?陶泽尔表示，时间非常紧迫，英特尔计划在今年年中投产。Inter的安腾系列是与惠普合作开发，始于200
据比特网报道，继05年率先开发出60纳米内存、06年开发出50纳米内存后，三星电子日前研发出了世界首款40纳米1GDDR2动态内存(1纳米等于十亿分之一米)，今年第3季度将实现量产。据了解，40纳米内存与目前普遍使用的50、60纳米内存相比，芯片面
分类：名企新闻 时间：2009/2/9 阅读：1202
三星电子公司本周三宣布计划从今年年底开始出货采用40nm技术的DRAM芯片，其能耗将大大低于目前PC机中采用的内存芯片。三星希望通过发布下一代技术来在扩大自己在当前低迷市场的优势。现在三星和竞争对手都在加快对微型化电路的研发，以提高能源效率
分类：名企新闻 时间：2009/2/6 阅读：894 关键词：40nm
DRAMeXchange数据显示，DRAM内存芯片的价格上涨26%，这减轻了芯片厂商的一些压力。DDR2芯片价格周一上涨了28%，闪存价格也有所上涨，16Gb芯片价格上涨了5%。中国地区的DRAM内存销售商已经结束为期一周的春节休假，重新开业。Av
分类：业界要闻 时间：2009/2/4 阅读：1166 关键词：DRAM
从70年代开始，相变内存(PhaseChangeMemory，PCM)就开始成为一个热议话题，由于其高读取/写入速度、低易失性和高存储密度而成为可能取代磁性存储介质的选择。现在，相变内存被认为是继NAND闪存后的下一代技术，因为它可以弥补NAND技
分类：业界要闻 时间：2009/2/3 阅读：763 关键词：SSD
