KF3007 P沟道场效应管IC

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KF3007XG系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET), 采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

KF3007XG系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

特点

-30V/-4.1A

Rps(oN)<88mQ@ Vas=-10V,ID>=-4.1A

RDs(oN)< 108mO@ Vas--4.5V,Ip-3A

超大密度单元、极小的RDsION)

超小封装: SOT23

典型应用

电源管理

负载开关

电池保护

P沟道场效应管IC

联系方式

企业名：深圳市亿创微芯电子有限公司

类型：

电话： 0755-83538626

手机：15815503065

联系人：李娜娜

QQ：

微信：

邮箱：elemchip@126.com

地址：广东深圳中国广东深圳市民治东边大厦701-702

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