CT2101是一种复合式高精度单节锂离子/锂聚合物电池保护IC。其在传统电池保护内置非常低阻抗（等效 29m? RDS(ON)）的P MOSFET,降低成本；高精度电压检测（过充电压检测：±30mV ；过放电压检测：±50mV）；三重过电流检测保护：过放电流1, 过放电流2和负载短路检测电流；内置延迟电路，延迟时间(过充电压检测延迟时间：tCU；过放电压检测延迟时间：tDL； 过放电流 1检测延迟时间： tODC1； 过放电流2检测延迟时间：tODC2；短路检测电流检测延迟时间：tSHORT)由内置电路产生，无需外接电容；低电流损耗（工作模式：典型值 2.0μA，值 4.0μA，休眠模式：值 0.1μA）； 电路基础上将开关 MOSFET聚成到IC内部.

SOT23-6

CT2101是一种复合式高精度单节锂离子/锂聚合物电池保护IC。其在传统电池保护内置非常低阻抗（等效 29m? RDS(ON)）的P MOSFET,降低成本；高精度电压检测（过充电压检测：±30mV ；过放电压检测：±50mV）；三重过电流检测保护：过放电流1, 过放电流2和负载短路检测电流；内置延迟电路，延迟时间(过充电压检测延迟时间：tCU；过放电压检测延迟时间：tDL； 过放电流 1检测延迟时间： tODC1； 过放电流2检测延迟时间：tODC2；短路检测电流检测延迟时间：tSHORT)由内置电路产生，无需外接电容；低电流损耗（工作模式：典型值 2.0μA，值 4.0μA，休眠模式：值 0.1μA）； 电路基础上将开关 MOSFET聚成到IC内部.

CT2101是一种复合式高精度单节锂离子/锂聚合物电池保护IC。其在传统电池保护内置非常低阻抗（等效 29m? RDS(ON)）的P MOSFET,降低成本；高精度电压检测（过充电压检测：±30mV ；过放电压检测：±50mV）；三重过电流检测保护：过放电流1, 过放电流2和负载短路检测电流；内置延迟电路，延迟时间(过充电压检测延迟时间：tCU；过放电压检测延迟时间：tDL； 过放电流 1检测延迟时间： tODC1； 过放电流2检测延迟时间：tODC2；短路检测电流检测延迟时间：tSHORT)由内置电路产生，无需外接电容；低电流损耗（工作模式：典型值 2.0μA，值 4.0μA，休眠模式：值 0.1μA）； 电路基础上将开关 MOSFET聚成到IC内部.

锂聚合物电池保护IC

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