ME2169是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路、PWM/PFM控制电路等构成的CMOS升压型DC/DC控制器。

由于使用外接的低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。

另外，可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻(RsENSE )来限制输出电流。由于将电流检测电压(VSENSE)设定为100 mV土10%,因此可减少在RsENSE端产生的损耗。

ME2169外围的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且，采用了小型的SOT23-6封装，因此可适用于高密度安装高精度高效率的应用。

  特点

具有可自由设置的电流限制功能:如当设定RsENsE=50mQ时，限流值是2A.

占空比范围:基 于PWM/PFM开关控制电路，可达78 % (PWM模式).

工作频率: 1.0MHz

基准电压: 1 .25V+2.0%

消耗电流低:静止时60 μA (典型值)

输出电流: 3A(VIN= 3.6 V, Vouτ= 5.0V,且设定限流值设定不低于3A)

软启动时间:2 ms (典型值)

UVLO (欠压锁定)功能: VDD<2.3V

外接元器件电感器、二极管、电容器、晶体管、电阻。

  应用

移动电源、数码音响播放器

LED照明、GPS、无绳收发机

其他携带设备

ME2169是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路、PWM/PFM控制电路等构成的CMOS升压型DC/DC控制器。

由于使用外接的低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。

另外，可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻(RsENSE )来限制输出电流。由于将电流检测电压(VSENSE)设定为100 mV土10%,因此可减少在RsENSE端产生的损耗。

ME2169外围的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且，采用了小型的SOT23-6封装，因此可适用于高密度安装高精度高效率的应用。

  特点

具有可自由设置的电流限制功能:如当设定RsENsE=50mQ时，限流值是2A.

占空比范围:基 于PWM/PFM开关控制电路，可达78 % (PWM模式).

工作频率: 1.0MHz

基准电压: 1 .25V+2.0%

消耗电流低:静止时60 μA (典型值)

输出电流: 3A(VIN= 3.6 V, Vouτ= 5.0V,且设定限流值设定不低于3A)

软启动时间:2 ms (典型值)

UVLO (欠压锁定)功能: VDD<2.3V

外接元器件电感器、二极管、电容器、晶体管、电阻。

  应用

移动电源、数码音响播放器

LED照明、GPS、无绳收发机

其他携带设备

CMOS升压型DC/DC控制IC

CMOS升压型DC/DC控制IC

CMOS升压型DC/DC控制IC CMOS升压型DC/DC控制IC

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