晶体管极性:  N-Channel   
 
Vds-漏源极击穿电压:  30 V   
 
Vgs-栅源极击穿电压 :  20 V   
 
Id-连续漏极电流:  8 A   
 
Rds On-漏源导通电阻:  8.5 mOhms   
 
配置:  Dual   
 
Qg-栅极电荷:  30.6 nC   
 
工作温度:  + 150 C   
 
Pd-功率耗散:  1.19 W   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  SOIC-8   
 
封装:  Reel   
 
商标:  Diodes Incorporated  
 
正向跨导 - 值:  18 S  
 
工作温度:  - 55 C

ZXT10P40DE6TA
AZ23C3V6-7-F
ZXRE125CFTA
VN10LFTA
B330A-13-F
BSS138W-7-F
ZX5T851GTA
AP131-20WL-7
6A10-T
ZX5T949GTA
DST847BPDP6-7
MBR3060CTP
BC807-16W-7
AP7333-30SAG-7
BZT52C11-7-F
ZXMN6A09KTC
1N5822-T
AP1084K33L-13
BZT52C6V2S-7-F
ZLDO1117GTA
DSR8U600
SBR20A200CTB
BZX84C2V7-7-F

 

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