类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
530mA（Ta）
驱动电压（Rds On，Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
1.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
12 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
510 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散
750mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
SI2325

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）SI2325DS-T1-E3
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVSI2325DS-T1-E3
精度：±0.05PF（A档） ±0.1PF（B档） ±0.25PF（C档） ±0.5%（D档）
±1%（F档） ±2%（G档） ±5%（J档） ±10%（K档）
±20%（M档） ±+80%-20%（Z档）SI2325DS-T1-E3
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

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