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IRF9610PBF插件TO-220 P沟道MOSFET场效应管200V/1.8A全新原装VISHAY

IRF9610PBF插件TO-220 P沟道MOSFET场效应管200V/1.8A全新原装VISHAY
IRF9610PBF插件TO-220 P沟道MOSFET场效应管200V/1.8A全新原装VISHAY
  • 型号/规格:

    IRF9610PBF

  • 品牌/商标:

    VISHAY

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

VIP会员 第 1
  • 企业名:深圳市恒耀达电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83598180

    手机:15811822020
    15889369937

    联系人:郑小姐/郑先生

    QQ: QQ:11188181QQ:355219994

    微信:

    邮箱:szhyouda@163.com

    地址:广东深圳深圳市深南中路华强电子世界三期4C120室

产品分类
商品信息 更新时间:2026-02-25


IRF9610PBF是Vishay(威世,收购原IR国际整流器功率器件产品线) 推出的P沟道增强型功率MOSFET,属于经典HEXFET?系列,采用成熟平面硅工艺制造,兼具高耐压、快速开关、低驱动损耗、高可靠性等优势,是200V等级小功率高压侧开关场景的通用器件,广泛应用于工业控制、电源管理、负载保护、小型电机驱动等领域。

一、型号含义

字段含义说明
IR原国际整流器(International Rectifier)品牌标识,现归属Vishay
9610型号序列:"9"代表P沟道、"6"代表200V耐压等级、"10"代表电流规格系列
PBF环保版本标识:无铅(Pb-Free)封装,符合RoHS、REACH环保标准

注:同系列贴片版本为IRF9610SPBF(D2PAK封装),参数完全一致,仅封装形式不同,适合高密度PCB设计。

二、特性

  1. 高耐压P沟道性能

    • 漏源击穿电压-200V,25℃壳温下连续漏极电流-1.8A,脉冲峰值电流可达-7A,适配200V以下系统的高压侧开关需求,无需额外电平转换电路即可直接驱动,简化系统设计
    • 导通电阻典型值2.2Ω,值3Ω(@Vgs=-10V,ID=-1A),导通损耗适中,配合TO-220封装优异的散热性能,可支持20W级功率应用
    • 单脉冲雪崩能量达120mJ,可承受感性负载关断时的电压尖峰,无需额外缓冲电路即可稳定工作
    • 栅源电压范围?20V,驱动电压冗余度高,不易受驱动噪声损坏
  2. 快速低损耗开关特性

    • 总栅极电荷典型值仅11nC(@Vgs=-10V),驱动损耗极小,可直接由MCU或逻辑芯片驱动,无需专用驱动IC
    • 开关速度快:导通延迟仅8ns、上升时间15ns,关断延迟10ns、下降时间8ns,支持500kHz开关频率,有效降低系统开关损耗
    • 输入电容仅170pF,反向传输电容仅4pF,di/dt和dv/dt可控,EMI辐射低,系统电磁兼容设计更简单
    • 动态dv/dt抗扰度达5V/ns,抗电源浪涌干扰能力强,避免功率器件误触发
  3. 高可靠性设计

    • 宽工作温度范围:-55℃~%2B150℃,满足工业级环境应用需求
    • 内置体二极管反向恢复特性优异,支持硬开关拓扑应用
    • 器件参数一致性高,支持多管并联扩流,适配更大功率需求
    • 湿气敏感性等级MSL 1,存储无限制,适合大批量生产备料
    • 生产过程通过IATF 16949和ISO 9001质量体系,失效率低于5ppm,可靠性优于同类国产器件
  4. 封装与合规性

    • 封装类型:TO-220AB(3引脚通孔直插),引脚间距2.54mm,兼容标准通孔PCB布局,背面散热片与漏极内部连通,支持加装散热器提升功率能力
    • 封装尺寸:10.41mm ? 4.7mm ? 9.01mm(长?宽?高),通用化封装设计,替代兼容性强
    • 包装形式:管装,50只/管,适配自动化插件生产
    • 丝印标识:器件表面印刷"IRF9610"字样,附带生产批号和Vishay防伪标识
    • 价格优势显著,工业级批量采购单价约2.5元/只,比国际品牌同类器件低30%,性价比突出,国内现货充足,交付周期≤3天

三、关键参数

参数类别具体参数值
器件类型P沟道增强型MOSFET
漏源击穿电压(V(BR)DSS)-200V(@Vgs=0V,ID=-250μA)
栅源电压范围(VGS)?20V
连续漏极电流(ID)-1.8A(@TC=25℃),-1A(@TC=100℃)
脉冲漏极电流(IDM)-7A(脉宽<10μs,占空比<1%)
导通电阻(RDS(on))典型2.2Ω,3Ω(@Vgs=-10V,ID=-1A)
栅极阈值电压(VGS(th))-2V~-4V(@ID=-250μA,VDS=VGS)
总栅极电荷(Qg)典型11nC,16nC(@Vgs=-10V)
输入电容(Ciss)170pF(@VDS=-25V,VGS=0V,f=1MHz)
输出电容(Coss)55pF(@VDS=-25V,VGS=0V,f=1MHz)
反向传输电容(Crss)4pF(@VDS=-25V,VGS=0V,f=1MHz)
开通延迟时间(td(on))8ns(@VDD=-100V,ID=-1.8A,VGS=-10V,RG=10Ω)
上升时间(tr)15ns(同上测试条件)
关断延迟时间(td(off))10ns(同上测试条件)
下降时间(tf)8ns(同上测试条件)
反向恢复时间(trr)150ns(@IS=-1.8A,di/dt=10A/μs)
单脉冲雪崩能量(EAS)120mJ(@VDD=-100V,ID=-1.8A,RG=10Ω)
功耗(PD)20W(@TC=25℃),线性降额0.16W/℃高于25℃
结到外壳热阻(RthJC)6.4℃/W
结到环境热阻(RthJA)62℃/W(无散热片)
工作结温范围-55℃~%2B150℃
存储温度范围-55℃~%2B150℃
ESD防护等级2kV HBM

四、引脚功能

TO-220AB封装引脚(正视方向,引脚朝下,散热片朝向后方,从左到右排序):

引脚号标识功能说明
1G(Gate)栅极,驱动信号输入端
2S(Source)源极,接负载输入端
3D(Drain)漏极,接高压侧电源,与背面金属散热片内部连通

注:作为高压侧开关使用时,漏极接输入负电压/接地,源极接负载;当栅极电压比源极低2~4V时器件导通,栅极与源极等压时器件关断。安装散热器时若散热片与外壳地连通,需加装绝缘垫片避免漏极短路;设计时建议在栅极串联10Ω~100Ω驱动电阻,抑制开关振荡,同时在栅源之间并联10kΩ上拉电阻,防止上电误导通。

五、典型应用

  1. 电源管理:开关电源高压侧开关、离线式电源启动电路、DC-DC转换器负电压输出、电池充放电控制、功率因数校正(PFC)辅助开关、不间断电源(UPS)辅助电路
  2. 工业控制:电磁阀/继电器高端驱动、PLC模拟输出模块、固态继电器功率级、仪器仪表电源开关、工业传感器供电开关
  3. 保护电路:电源防反接保护、过压保护电路、负载断路开关、感性负载钳位电路、浪涌抑制电路
  4. 电机驱动:小型直流电机正反转H桥高压侧开关、步进电机驱动、电动玩具电机控制、微型泵/阀驱动
  5. 消费电子:音频功率放大器电源开关、LED照明高压侧调光、家电控制板负载开关、便携式设备电源路径管理
  6. 汽车电子:车载小功率负载开关、车灯控制、车身电子辅助开关、电池管理系统(BMS)辅助开关(需使用车规版本)

六、典型应用电路(24V电源防反接保护)

电源输入正极 → 保险丝 → 负载正极
电源输入负极 → IRF9610漏极(引脚3)
IRF9610源极(引脚2) → 负载负极
IRF9610栅极(引脚1) → 10kΩ上拉电阻 → 源极(引脚2)
栅极与地之间并联100nF滤波电容

工作原理

  • 电源正接时,栅极通过上拉电阻接源极,同时输入负极接漏极,栅极电压比源极低24V,超过阈值电压,器件导通,导通压降仅3Ω?1A=3V,功耗3W,相比传统二极管防反接的0.7V压降,在大电流下损耗更低
  • 电源反接时,栅极与源极等压,器件关断,阻断电流通路,保护后级电路不受损坏
    设计注意:当负载电流大于0.5A时,需加装散热片降低结温,避免器件过热损坏。

七、选型与替代参考

  1. 同系列不同规格选型
    | 型号 | 耐压 | 连续电流 | 导通电阻 | 特点 |
    |------|------|----------|----------|------|
    | IRF9610PBF | -200V | -1.8A | 3Ω | 本次介绍型号,小功率通用场景 |
    | IRF9620PBF | -200V | -3.7A | 1.5Ω | 更高电流版本,适合中等功率场景 |
    | IRF9630PBF | -200V | -6.5A | 0.8Ω | 大电流版本,适合大功率应用 |
    | IRF9640PBF | -200V | -11A | 0.5Ω | 超大电流版本,导通电阻更低 |
    | IRF9610SPBF | -200V | -1.8A | 3Ω | D2PAK贴片封装,适合高密度设计 |

  2. 主流替代型号
    | 型号 | 厂商 | 耐压 | 连续电流 | 导通电阻@10V | 特点 |
    |------|------|------|----------|--------------|------|
    | FQP2P20 | 安森美 | -200V | -2A | 3Ω | 参数完全一致,可直接替换,供应链成熟 |
    | STP2P20 | 意法半导体 | -200V | -2A | 3Ω | 高可靠性,适合出口产品 |
    | VBE2102 | 微碧半导体 | -200V | -2A | 2.5Ω | 国产替代,成本低40%,国产供应链稳定 |
    | AO3401A | AOS | -30V | -4A | 40mΩ | 低压大电流版本,适合低压场景 |

如需N沟道互补器件,可选择IRF610NPBF(N沟道、200V、3.3A、1.5Ω),同为TO-220封装,适合组成半桥/H桥电路。


联系方式

企业名:深圳市恒耀达电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83598180

手机:15811822020
15889369937

联系人:郑小姐/郑先生

QQ: QQ:11188181QQ:355219994

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地址:广东深圳深圳市深南中路华强电子世界三期4C120室

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