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SI2302CDS-T1-GE3原装VISHAY威世N沟道增强型MOSFET贴片SOT-23

型号/规格：
SI2302CDS-T1-GE3
品牌/商标：
VISHAY
封装形式：
SOT-23
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装

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企业名：深圳市恒耀达电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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产品分类

集成电路(IC)(364)
∟ 逻辑IC(220)∟ 射频IC(17)∟ 其他IC(127)
电源IC(351)
∟ LDO(3)∟ DC-DC(4)∟ LED驱动IC(5)∟ 稳压IC(195)∟ 其他电源IC(144)
半导体存储器(17)
∟ OTP（一次可编程ROM）(1)∟ EEPROM（电可擦除可编程ROM）(4)∟ SRAM （MOS型静态存储器）(2)∟ Flash Memory（闪存/快闪存储器）(10)
二极管(109)
∟ 整流二极管(3)∟ 稳压二极管(3)∟ 开关二极管(7)∟ 快/超快/特快恢复二极管(26)∟ 瞬态(变)抑制二极管(26)∟ ESD静电二极管(3)∟ 肖特基二极管(37)∟ 激光(光电)二极管(1)∟ 齐纳/雪崩二极管(2)∟ 其他二极管(1)
三极管(33)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(22)∟ 功率三极管(1)∟ 三端稳压管(器)(2)∟ 复合(达林顿)三极管(2)∟ 其他三极管(6)
场效应管MOSFET(185)
∟ MOSFET(183)∟ 结型场效应管(1)∟ GTR达林顿模块(1)
可控硅IGBT(26)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(7)∟ 双向可控硅(晶闸管)(10)∟ 可控硅(晶闸管)模块(9)
单片机(171)
∟ 单片机MCU(171)
电阻器(21)
∟ 热敏电阻(1)∟ 压敏电阻(19)∟ 铝壳电阻(1)
电感器(1)
∟ 共模电感(1)
电位器(66)
∟ 金属膜电位器(59)∟ 线绕电位器(2)∟ 单圈、多圈电位器(1)∟ 精密电位器(4)
电源/稳压器(5)
∟ 模块电源/电源模块(5)
微调电位器(1)
∟ 贴片/片状电位器(1)
连接器/接插件(1)
∟ 条形(压接式)连接器(1)
开关(3)
∟ 贴片/片式开关(1)∟ 微动开关(2)
传感器(8)
∟ 光电/光敏传感器(1)∟ 霍尔传感器(1)∟ 压电传感器(1)∟ 温(湿)度传感器(4)∟ 加速度传感器(1)
保险丝(3)
∟ 贴片保险丝(2)∟ 保险丝座/保险丝夹(1)
放电管(2)
∟ 气体放电管(1)∟ 陶瓷放电管(1)
继电器(55)
∟ 电磁继电器(55)
放大器(74)
∟ 放大器(74)
天线(1)
∟ 其他天线(1)
光电子/光纤/激光(74)
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∟ LED电源驱动/控制/软件(1)
其他未分类(11)
∟ 其他(11)

新品上架

商品信息 更新时间：2026-06-09

Vishay SI2302CDS-T1-GE3 N沟道 MOSFET

概述

SI2302CDS-T1-GE3 是一款 N沟道增强型 MOSFET，采用 Vishay 先进的 TrenchFET 技术制造。该器件采用超小型 SOT-23-3 表面贴装封装，在 20V 漏源电压下可提供 2.9A 的连续漏极电流，导通电阻低至 57mΩ。其低阈值电压特性使其可由 2.5V 逻辑电平直接驱动，非常适合便携式设备中的负载开关和 DC/DC 转换器应用。该器件是已停产的 SI2302ADS-T1-E3 的在产替代型号。

型号命名解读

字段	含义
SI	Vishay 的 MOSFET 产品前缀
2302	器件编号
C	版本标识（C 版本，相比 A 版本性能优化）
DS	封装标识：SOT-23-3
T1	包装代码：卷带包装（Tape & Reel）
GE3	环保标识：无铅、无卤素，符合 RoHS 标准

参数

参数	数值
类型	N沟道增强型 MOSFET
漏源电压（ $V_{DS}$ ）	20V
栅源电压（ $V_{GS}$ ）	?8V
连续漏极电流（ $I_D$ ）	2.9A（ $T_A = 25?C$ ，5 秒）<br>2.6A（稳态）
脉冲漏极电流（ $I_{DM}$ ）	10A
导通电阻（ $R_{DS(on)}$ ）	57mΩ（典型值 @ $V_{GS} = 4.5V$ , $I_D = 3.6A$ ）<br>75mΩ（典型值 @ $V_{GS} = 2.5V$ , $I_D = 2.6A$ ）
栅极阈值电压（ $V_{GS(th)}$ ）	0.85V（值 @ $I_D = 250\mu A$ ）
栅极电荷（ $Q_g$ ）	5.5nC（@ $V_{GS} = 4.5V$ ）
输入电容（ $C_{iss}$ ）	300pF（典型值）
功耗（ $P_D$ ）	0.86W（ $T_A = 25?C$ ，5 秒）<br>0.71W（稳态）
工作温度范围	-55?C ~ %2B150?C
封装	SOT-23-3（TO-236）
技术	TrenchFET

功能特性

TrenchFET 技术
- Vishay 先进的沟槽 MOSFET 工艺，在导通电阻和开关性能之间取得良好平衡
低导通电阻
- $R_{DS(on)}$ 仅 57mΩ @ 4.5V，导通损耗低
- $R_{DS(on)}$ 为 75mΩ @ 2.5V，低压驱动下仍保持较低损耗
低阈值电压
- 阈值电压仅 0.85V
- 可在 2.5V 逻辑电平下完全导通
- 兼容 1.8V / 2.5V / 3.3V 低压逻辑驱动
超小封装
- SOT-23-3 封装，占板面积极小
- 适合空间受限的便携式设计
快速开关
- 低栅极电荷（5.5nC），开关速度快
- 上升/下降时间仅 7ns
高脉冲电流能力
- 脉冲漏极电流高达 10A，可承受短时过载
环保合规
- GE3 后缀表示无铅、无卤素，符合 RoHS 标准

引脚定义（SOT-23-3）

 ┌───┐
      │   │
  1   │   │   3
  ────┤   ├────
      │   │
      │   │
      └───┘
       2

引脚号	名称	功能描述
1	Gate（G）	栅极（控制极）
2	Source（S）	源极
3	Drain（D）	漏极

器件本体丝印标记为 "N2"。

典型应用电路

低压侧负载开关：

 ┌───────────┐
  VCC (3.3V/5V) ─────┤ D (pin3)  │
                     │           │
  负载（LED/传感器等）┤           │
                     │           │
  MCU GPIO (2.5V) ───┤ G (pin1)  │
                     │           │
  GND ───────────────┤ S (pin2)  │
                     └───────────┘

DC/DC 转换器中的功率开关：

SI2302CDS 的低导通电阻和低栅极电荷使其非常适合低压 Buck 转换器中的功率开关应用。

与 SI2302ADS-T1-E3 对比

参数	SI2302ADS-T1-E3（停产）	SI2302CDS-T1-GE3（在产）
$V_{DS}$	20V	20V
$I_D$	2.4A	2.9A
$R_{DS(on)}$ @ 4.5V	60mΩ	57mΩ
$R_{DS(on)}$ @ 2.5V	115mΩ	75mΩ
$V_{GS(th)}$	0.4~0.85V	0.85V（）
$Q_g$	—	5.5nC
环保	E3（RoHS）	GE3（RoHS %2B 无卤素）
状态	停产	在产

SI2302CDS-T1-GE3 是 SI2302ADS-T1-E3 的直接升级替代型号，在导通电阻、电流能力和环保标准上均有提升。

典型应用场景

便携式设备 — 手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关
DC/DC 转换器 — 低压 Buck 转换器的功率开关
电池管理 — 电池保护电路中的充放电开关
负载开关 — 低压侧/高压侧负载通断控制
逻辑电平转换 — 2.5V / 3.3V 逻辑信号驱动
LED 驱动 — LED 灯串的开关控制
电源管理 — 主板和外设的电源分配

与同类竞品对比

型号	厂商	$V_{DS}$	$I_D$	$R_{DS(on)}$ @ 4.5V	$V_{GS(th)}$	封装
SI2302CDS-T1-GE3	Vishay	20V	2.9A	57mΩ	0.85V	SOT-23-3
SI2302ADS-T1-E3	Vishay	20V	2.4A	60mΩ	0.85V	SOT-23-3
AO3400	AOS	30V	5.8A	28mΩ	1.4V	SOT-23-3
IRLML2502	Infineon	20V	4.2A	45mΩ	1.2V	SOT-23-3
DMG2302	Diodes Inc	20V	2.8A	85mΩ	1.0V	SOT-23-3

总结： SI2302CDS-T1-GE3 是一款 20V / 2.9A N沟道 MOSFET，采用 Vishay TrenchFET 技术和超小型 SOT-23-3 封装。相比已停产的 SI2302ADS-T1-E3，它在导通电阻（从 60mΩ 降至 57mΩ）、电流能力（从 2.4A 提升至 2.9A）和环保标准（升级为 GE3 无卤素）上均有提升。其 0.85V 低阈值电压使其可由 2.5V 逻辑电平直接驱动，57mΩ 低导通电阻降低了导通损耗，5.5nC 低栅极电荷保证了快速开关性能。该器件广泛应用于便携式设备负载开关、DC/DC 转换器、电池管理和低压逻辑驱动等场景，是 Vishay 低压 SOT-23 MOSFET 系列中的经典在产型号。

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15889369937

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	│ │
	1 │ │ 3
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	│ │
	└───┘
	2

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	VCC (3.3V/5V) ─────┤ D (pin3) │
	│ │
	负载（LED/传感器等）┤ │
	│ │
	MCU GPIO (2.5V) ───┤ G (pin1) │
	│ │
	GND ───────────────┤ S (pin2) │
	└───────────┘