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SPP20N60C3原装N沟道高压功率MOSFET直插TO-220

SPP20N60C3原装N沟道高压功率MOSFET直插TO-220
SPP20N60C3原装N沟道高压功率MOSFET直插TO-220
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产品分类
商品信息 更新时间:2026-07-08


SPP20N60C3 是英飞凌 CoolMOS? C3 系列中的一款 N沟道高压功率 MOSFET,采用超结(Superjunction)技术,是中大功率开关电源中广泛应用的经典器件。


参数

参数数值
漏源电压 (VDS)650V(Tjmax 下) / 额定 600V
连续漏极电流 (ID)20.7A (TC=25?C) / 13.1A(TC=100?C)
脉冲漏极电流 (ID,pulse)62.1A
导通电阻 RDS(on)190mΩ()/ 典型 0.19Ω(VGS=10V, ID=13.1A)
阈值电压 VGS(th)3V(典型)/ 3.9V( @ 1mA)
总栅极电荷 Qg87nC(典型)/ 114nC( @ 10V)
米勒电荷 Qgd约 46nC
输入电容 Ciss2400pF
输出电容 Coss约 1250pF
反向传输电容 Crss50pF
耗散功率 (Pd)208W(TC=25?C)
雪崩能量 EAS690mJ(单脉冲)
工作温度-55?C ~ %2B150?C
封装PG-TO-220-3(标准 TO-220)

主要特性

  1. CoolMOS? 性高压技术 — 超结结构实现 TO-220 封装中的 RDS(on),仅 190mΩ
  2. 超低栅极电荷 — Qg 典型值仅 87nC,大幅降低驱动损耗,支持高频开关
  3. 极高的 dv/dt 抗扰度 — 漏源电压变化率耐受 50 V/ns,在桥式拓扑中有效抑制误导通;反向二极管 dv/dt 额定值 15 V/ns
  4. 雪崩耐受能力 — 单脉冲 EAS = 690mJ,重复雪崩 EAR 额定,过载保护能力强
  5. 高峰值电流能力 — 脉冲电流可达 62.1A
  6. 改进的跨导 — 优化线性区控制性能
  7. 无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准,按 JEDEC 标准

SPP20N60C3 与 SPA20N60C3 的区别

与上一轮介绍的 SPA20N60C3 电气完全相同,区别仅在于封装形式:

型号封装耗散功率特点
SPP20N60C3TO-220(标准)208W散热性能极好,需散热器 %2B 绝缘垫片
SPA20N60C3TO-220FP(全隔离)34.5W内置 2500VAC 绝缘,无需绝缘垫片

SPP 版本因封装散热更好,耗散能力是 SPA 版本的 6 倍,适合需要大功率输出的设计。


同平台四款器件全面对比

至此你已经询问了四款英飞凌 CoolMOS? C3 系列器件,汇总如下:

参数SPP11N60C3SPP20N60C3SPA20N60C3SPA17N80C3
电压 VDS600/650V600/650V600/650V800V
电流 ID11A20.7A20.7A17A
RDS(on)380mΩ190mΩ190mΩ290mΩ
Qg 典型45nC87nC87nC91nC
Ciss1200pF2400pF2400pF2320pF
Pd125W208W34.5W42W
EAS340mJ690mJ690mJ670mJ
封装TO-220TO-220TO-220FPTO-220F
封装绝缘是 (2500VAC)是 (2500VAC)
适用场景中大功率率 / 需隔离超高压 / 需隔离

选型建议

  • 追求大功率、高效率(600V 级)→ SPP20N60C3(208W 耗散,190mΩ 低导通电阻)
  • 需要封装级隔离(600V 级)→ SPA20N60C3
  • 超高压应用(如 DC 总线 > 600V)→ SPA17N80C3(800V 耐压)
  • 率经济型 → SPP11N60C3(性价比高)

典型应用

  • LLC 谐振半桥变换器 — 常用于服务器电源(实例如威迈斯 459W 服务器电源即采用 SPP20N60C3 作为 LLC 开关管)
  • PFC 升压电路 — 高功率因数校正级
  • 有源钳位正激变换器
  • AC-DC 开关电源 — 500W~1500W 级电源
  • 光伏逆变器 DC-AC 级
  • 电机驱动与工业变频器
  • UPS 不间断电源

设计注意事项

  • 结壳热阻 RthJC 约 0.6 K/W(标准 TO-220),建议搭配大尺寸散热器以发挥 208W 的耗散能力
  • 开关速度较快(典型 tr=5ns, tf=5ns),栅极驱动回路需尽量短,建议串联 4.3Ω~10Ω 栅极电阻以抑制振铃
  • 米勒平台电压约 5.5V~6V,驱动电压推荐 10V~15V,关断可配合负压偏置
  • 该器件在 LLC 拓扑 中应用非常广泛,常搭配意法半导体的 L6599A 等 LLC 控制器使用


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