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SPW20N60S5原装N沟道高压功率MOSFET直插TO-247

SPW20N60S5原装N沟道高压功率MOSFET直插TO-247
SPW20N60S5原装N沟道高压功率MOSFET直插TO-247
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产品分类
商品信息 更新时间:2026-07-08


SPW20N60S5 是英飞凌 CoolMOS? S5 系列中的一款 N沟道高压功率 MOSFET。S5 系列是 C3 系列的后续升级平台,在开关特性、电容特性和效率方面进行了针对性优化,采用 TO-247 大功率封装


参数

参数数值
漏源电压 (VDS)600V
连续漏极电流 (ID)20A(TC=25?C)
脉冲漏极电流 (ID,pulse)60A
导通电阻 RDS(on)190mΩ( @ VGS=10V)
阈值电压 VGS(th)3.5V(典型)/ 范围 3.5V ~ 5.5V
总栅极电荷 Qg79nC(典型 @ 10V)
输入电容 Ciss3000pF
输出电容 Coss约 500pF(较 C3 更低)
反向传输电容 Crss28pF
耗散功率 (Pd)208W(TC=25?C)
工作温度-55?C ~ %2B150?C
封装PG-TO-247-3(TO-247AC)

S5 系列相比 C3 系列的主要改进

S5(第五代 CoolMOS?)是 C3(第三代)的演进平台,改进方向是降低开关损耗优化轻载效率

对比维度SPW20N60C3(C3 平台)SPW20N60S5(S5 平台)
Qg 典型值87nC79nC(降低约 9%)
Ciss2400pF3000pF(略有增加)
Crss50pF28pF(降低 44%)
Coss780pF~500pF(降低约 36%)
阈值电压范围2.1V ~ 3.9V3.5V ~ 5.5V(更高)
RDS(on)190mΩ190mΩ(相同)
开关损耗基准更低(因 Crss/Qgd 降低)

S5 平台的优势

  • 更低的米勒电容(Crss) — 28pF vs 50pF,降低约 44%,显著减少开关过程中的米勒平台时间,从而降低开关损耗
  • 更低的输出电容(Coss) — 减少关断过程中的储能损耗(Eoss)
  • 更高的阈值电压 — 3.5V~5.5V 范围,增强了抗噪声干扰能力,降低误导通风险
  • 总栅极电荷更低 — 79nC vs 87nC,驱动损耗更小

主要特性

  1. CoolMOS? 性高压技术 — S5 第五代超结平台
  2. 超低栅极电荷 — Qg 仅 79nC,降低驱动功耗
  3. 超低有效电容 — 优化的输出电容特性,减少关断损耗
  4. 极高的 dv/dt 抗扰度 — 优异的体二极管反向恢复特性
  5. 周期性雪崩额定 — 具备良好的过载保护能力
  6. 改进的跨导 — 优化线性区控制性能
  7. 无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准,按 JEDEC 标准

同系列六款器件完整对比

至此你已经询问了六款英飞凌 CoolMOS? 系列器件,汇总如下:

参数SPP11N60C3SPP20N60C3SPA20N60C3SPW20N60C3SPA17N80C3SPW20N60S5
平台C3C3C3C3C3S5
电压600/650V600/650V600/650V600/650V800V600V
电流11A20.7A20.7A20.7A17A20A
RDS(on)380mΩ190mΩ190mΩ190mΩ290mΩ190mΩ
Qg 典型45nC87nC87nC87nC91nC79nC
Ciss1200pF2400pF2400pF2400pF2320pF3000pF
Crss30pF50pF50pF50pF60pF28pF
Coss390pF780pF~1250pF780pF1250pF~500pF
Pd125W208W34.5W208W42W208W
封装TO-220TO-220TO-220FPTO-247TO-220FTO-247
封装绝缘
平台代际C3C3C3C3C3S5(更新)
开关损耗基准基准基准基准基准更低

典型应用

  • PFC 升压开关管 — 服务器电源、通信电源的 PFC 级
  • LLC 谐振变换器 — 半桥/全桥 LLC 拓扑,S5 平台的低 Crss 优势在高频 LLC 中尤为突出
  • 移相全桥变换器 — 中大功率 DC-DC 转换
  • 大功率开关电源 — 500W~2000W 级 AC-DC 电源
  • ATX 服务器电源 — 高密度电源模块
  • 太阳能逆变器
  • 工业电机驱动

C3 与 S5 的选型建议

  • 选 C3 系列:如果设计中已有成熟的 C3 驱动参数和 PCB 布局,C3 系列经过长期市场验证,供应充足,成本有优势
  • 选 S5 系列:如果追求 更高开关频率更低开关损耗 和 更高轻载效率,S5 系列更优;其更低的 Crss(28pF)和更高的 VGS(th) 在 LLC 等高频率拓扑中能有效降低开关损耗并提高抗噪性


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