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SPW35N60C3原装直插TO-247大电流N沟道高压功率MOSFET

SPW35N60C3原装直插TO-247大电流N沟道高压功率MOSFET
SPW35N60C3原装直插TO-247大电流N沟道高压功率MOSFET
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产品分类
商品信息 更新时间:2026-07-08


SPW35N60C3 是英飞凌 CoolMOS? C3 系列中的一款 大电流 N沟道高压功率 MOSFET,采用 TO-247 封装,是该系列中电流等级较高的大功率器件,面向中大功率电源转换场景。


参数

参数数值
漏源电压 (VDS)650V(Tjmax 下) / 额定 600V
连续漏极电流 (ID)34.6A(TC=25?C) / 21.9A(TC=100?C)
脉冲漏极电流 (ID,pulse)103.8A
导通电阻 RDS(on)100mΩ()/ 典型 81mΩ(VGS=10V, ID=21.9A)
阈值电压 VGS(th)2.1V ~ 3.9V(典型 3V @ 1.9mA)
总栅极电荷 Qg150nC(典型)/ 200nC( @ 10V)
米勒电荷 Qgd70nC
输入电容 Ciss4500pF
输出电容 Coss1500pF
反向传输电容 Crss100pF
耗散功率 (Pd)313W(TC=25?C)
雪崩能量 EAS1500mJ(单脉冲)
跨导 gfs36S(典型)
工作温度-55?C ~ %2B150?C
封装PG-TO-247-3(TO-247AC)

主要特性

  1. CoolMOS? 性高压技术 — 超结结构实现大电流、低导通电阻
  2. 极低导通电阻 — 典型值仅 81mΩ, 100mΩ,在 35A 级器件中处于水平
  3. 超高雪崩耐受能力 — 单脉冲 EAS = 1500mJ,是之前介绍的 20A 级器件的 2 倍以上,过载保护能力极强
  4. 极大的耗散功率 — 313W,是目前已介绍器件中耗散能力强的
  5. 高峰值电流能力 — 脉冲电流可达 103.8A
  6. 优异的 dv/dt 抗扰度 — 漏源电压变化率耐受 50 V/ns;反向二极管 dv/dt 额定值 15 V/ns
  7. 超低有效电容 — 优化的输出电容特性
  8. 改进的跨导 — 典型值 36S,控制响应灵敏
  9. 无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准

与之前介绍器件的完整对比

参数SPP11N60C3SPP20N60C3SPA20N60C3SPW20N60C3SPW20N60S5SPA17N80C3SPW35N60C3
平台C3C3C3C3S5C3C3
电压600/650V600/650V600/650V600/650V600V800V600/650V
电流11A20.7A20.7A20.7A20A17A34.6A
RDS(on)380mΩ190mΩ190mΩ190mΩ190mΩ290mΩ100mΩ
Qg 典型45nC87nC87nC87nC79nC91nC150nC
Ciss1200pF2400pF2400pF2400pF3000pF2320pF4500pF
Crss30pF50pF50pF50pF28pF60pF100pF
EAS340mJ690mJ690mJ690mJ670mJ1500mJ
Pd125W208W34.5W208W208W42W313W
封装TO-220TO-220TO-220FPTO-247TO-247TO-220FTO-247
封装绝缘
适用功率级~300W~800W~300W~800W~800W~600W~1500W

SPW 系列 C3 平台 TO-247 封装的三款器件

参数SPW20N60C3SPW35N60C3SPW17N80C3
电压600/650V600/650V800V
电流20.7A34.6A17A
RDS(on)190mΩ100mΩ290mΩ
Qg87nC150nC91nC
EAS690mJ1500mJ670mJ
Pd208W313W227W
典型 RthJC~0.45 K/W~0.4 K/W~0.6 K/W

SPW35N60C3 在电流能力(34.6A)、导通电阻(仅 100mΩ)、雪崩能量(1500mJ)和耗散功率(313W)四个维度上都是目前已介绍器件中的,是面向 中大功率、高可靠性 场景的强劲选择。


典型应用

  • 大功率 PFC 升压级 — 1000W~3000W 级电源的 PFC 开关管
  • LLC 谐振半桥/全桥变换器 — 服务器电源、通信电源
  • 移相全桥 DC-DC 变换器 — 大功率隔离电源
  • 光伏逆变器 — 组串式逆变器功率级
  • 大功率工业电源 — 电焊机、电池充电器
  • UPS 不间断电源 — 在线式 UPS 的功率转换级
  • 电机驱动 — 工业变频器

设计注意事项

  • 结壳热阻 RthJC 仅 0.4 K/W(TO-247 封装中极优),但 313W 的耗散能力意味着必须配合 大尺寸散热器 %2B 强制风冷
  • 栅极电荷较大(Qg 典型 150nC),驱动电路需具备足够的峰值电流能力(建议驱动 IC 峰值电流 ≥ 2A)
  • 米勒电荷 Qgd 达 70nC,建议栅极电阻选 3.3Ω~10Ω,并注意米勒平台期间的驱动性
  • 开关速度(tr=5ns, tf=10ns),需注意 PCB 布局中的参数控制
  • 安装扭矩:M3 螺丝,60 N?cm ?30%,确保散热接触良好


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