SVF7N65T/F/FG/K/S 说明书 7A、650V N沟道增强型场效应管

描述 SVF7N65T/F/FG/K/S N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应 晶体管采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压H 桥PWM 马达驱动。 特点 ∗ 7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF7N65T TO-220-3L SVF7N65T 无铅 料管 SVF7N65F TO-220F-3L SVF7N65F 无铅 料管 SVF7N65FG TO-220F-3L SVF7N65FG 无卤 料管 SVF7N65K TO-262-3L SVF7N65K 无铅 料管 SVF7N65S TO-263-2L SVF7N65S 无铅 料管 SVF7N65STR TO-263-2L SVF7N65S 无铅 编带 版本号：1.7 2012.09.29 共9页 第1页 士兰微电子 SVF7N65T/F/FG/K/S 说明书 极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参 数 符 号 SVF7N SVF7N SVF7N SVF7N 单位 65T 65F(G) 65K 65S 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC = 25°C 7.0 漏极电流 ID A TC = 100°C 4.0 漏极脉冲电流 IDM 28.0 A 耗散功率（T =25°C ） 

∗ 7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V  
∗ 低栅极电荷量 
 低反向传输电容 
∗ 开关速度快  
∗ 提升了dv/dt 能力 

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