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半导体圆晶片制造中的超高激光聚焦

供应半导体圆晶片制造中的超高激光聚焦
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  • 型号/规格:

    KD5100

  • 品牌/商标:

    KAMAN

普通会员
  • 企业名:成都洪胜科技有限责任公司

    类型:代理商

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商品信息

半导体圆晶片制造中的超高激光聚焦

 

激光微注技术被用于开发半导体圆晶片制造中的“直接写入”应用和高吞吐量模板图案应用,而且还被融合进0.1微米工艺的产品中。KD5100就被应用到此技术中,控制激光的位置,完成超高位置、关键尺寸和对齐控制。如图所示:

 

半导体制造激光聚焦.JPG

 

其它应用:

望远镜定位、磁悬浮轴定位。

 

    差分测量系统是一种先进的测量技术。一对非接触式的探头在导电体一边对齐或者以其为中心位置检测时,它们提供了出色的分辨率,重复性和调零的准确性。

    两个匹配的传感器被放置在被测物平台两侧,这两个传感器组成了平衡桥电路相反的两端,这个结构提供了极好的线性和热稳定性,所以其输出准确地记录了线性的微小移动。如激光反射镜聚焦平台定位。

       低温应用:20N传感器有一个专门的低温应用版本,它有一个内部伸缩接头,当用螺丝安装一个贝勒维尔垫圈后,可有效消除压力或温度引起的机械变性。已证明其在70°K的液态氮中有异的性能。好几个空间项目在4°K的液态氦环境中使用了此传感器。

此外也有型号可以真空和超高精度宇航领域,了解更多详情欢迎咨询成都洪胜科技有限公司。

成都洪胜科技有限公司
微信账号:洪胜咨讯

电涡流传感器工作原理:电涡流效应

    当接通传感器系统电源时,在前置器内会产生一个高频信号,该信号通过电缆送到探头的头部,在头部周围产生交变磁场H1。如果在磁场H1的范围没有金属导体接近,则发射到这一范围内的能量都会被释放;反之,如果有金属导体接近探头头部,则交变磁场H1将在导体的表面产生电涡流场,该电涡流场也会产生一个方向与H1相反的交变磁场H2。由于H2的反作用,就会改变探头头部线圈高频电流的幅度和相位,即改变了线圈的有效阻抗。这种变化与电涡流效应有关,也与静磁学效应有关(与金属导体的电导率、磁导率、几何形状、线圈几何参数、激励电流频率以及线圈到金属导体的距离参数有关)。假定金属导体是均质的,其性能是线形和各向同性的,则线圈——金属导体系统的磁导率u、电导率σ、尺寸因子r、线圈与金属导体距离δ线圈激励电流I和频率ω等参数来描述。因此线圈的阻抗可用函数Z=F(u,σ,r,δ,I,ω)来表示。  如果控制u,σ,r,I,ω恒定不变,那么阻抗Z就成为距离的单值函数,由麦克斯韦尔公式,可以求得此函数为一非线形函数,其曲线为“S”型曲线,在一定范围内可以近似为一线形函数。通过前置器电子线路的处理,将线圈阻抗Z的变化,即头部体线圈与金属导体的距离δ的变化转化成电压或电流的变化。输出信号的大小随探头到被测体表面之间的间距而变化,电涡流传感器就是根据这一原理实现对金属物体的位移、振动等参数的测量。


原理.JPG

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