产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 14 A

Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 38.7 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 79 W

封装: Tube

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 4.4 mm

商标: Infineon / IR

正向跨导 - 值: 3.2 S

下降时间: 46 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 58 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: SP001570634

单位重量: 6 gHole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 14 A

Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 38.7 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 79 W

封装: Tube

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 4.4 mm

商标: Infineon / IR

正向跨导 - 值: 3.2 S

下降时间: 46 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 58 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: SP001570634

单位重量: 6 g

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