过去，硅TVS器件由于电容高，在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而，近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上，ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。

二极管的作用

    1、整流二极管

利用二极管单向导电特性，可以把方向交替变化的交流电转变成单一方向的脉动直流电

2、稳压二极管

反向击穿电压恒定，且击穿后可恢复，利用这一特性可以实现稳压电路。

3、限幅元件

二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。

4、显示元件

作为发光管用于VCD、DVD、计算器等显示器上。

5、检波二极管

在各种收音装置中起检波作用。

6、继流二极管

在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。

7、变容二极管

使用于电视机的高频头中起变容作用。

 

二极管的特性举例

反向击穿特性：二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时， 因在一定温度条件下， 少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿， 对应于第③段，其原因与PN结击穿相同。

 

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